DVCC-C8JH计算机组成原理实验指导书print - 图文

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实验五 存储器实验

一、实验目的

掌握静态随机存取存储器RAM工作特性及数据的读写方法。

二、实验内容

1、实验原理

主存储器单元电路主要用于存放实验机的机器指令,如图5.1所示,它的数据总线连到外部数据总线EXD0~EXD7上;它的地址总线由地址寄存器单元电路中的地址寄存器74LS273(U37)给出,地址值由8个LED灯LAD0~LAD7显示,高电平点亮,低电平熄灭;在手动方式下,输入数据由8位数据开关KD0~KD7提供,并经一三态门74LS245(U51)连至外部数据总线EXD0~EXD7,实验时将外部数据总线EXD0~EXD7用8芯排线连到内部数据总线BUSD0~BUSD7,分时给出地址和数据。它的读信号直接接地;它的写信号和片选信号由写入方式确定。该存储器中机器指令的读写分手动和自动两种方式。手动方式下,写信号由W/R`提供,片选信号由CE`提供;自动方式下,写信号由控制CPU的P1.2提供,片选信号由控制CPU的P1.1提供。

由于地址寄存器为8位,故接入6264的地址为A0~A7,而高4位A8~A12接地,所以其实际使用容量为256字节。6264有四个控制线:CS1为第一片选线、CS2为第二片选线、OE读出使能线及WE写使能线。其功能如表5.1所示。CS1片选线由CE`控制(对应开关CE)、OE读出使能线直接接地、WE写使能线由W/R`控制(对应开关WE)、CS2直接接+5V。

图5.1中信号线LDAR由开关LDAR提供,手动方式实验时,跳线器LDAR拨至左侧,脉冲信号T3由实验机上时序电路模块TS3提供,实验时只需将J22跳线器连上即可,T3的脉冲宽度可调。

2、实验接线

① 总清开关拨到“1”位置。 ②MBUS连BUS2; ③EXJ1连BUS3;

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④跳线器J22的T3连TS3; ⑤跳线器J16的SP连H23;

⑥跳线器SWB、CE、WE、LDAR拨至左侧(手动位置)。

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图5.1 主存储器单元电路 表5.1 6264功能表

I/O DI X HIGH-Z DI DI X DO HIGH-Z DO HIGH-Z HIGH-Z HIGH-Z /OE X L H L H 输入 /WE X H L L H /CS1 H L L L L 工作 方式 非选择 读出 写入 写入 选择 3、实验步骤

① 连接实验线路,仔细查线无误后接通电源。

② 形成时钟脉冲信号T3。方法如下:在时序电路模块中有两个二进制开关“运行控制”和“运行方式”。将“运行控制”开关置为“运行”状态、“运行方式”开关置为“连续”状态时,按动“运行启动”开关,则T3有连续的方波信号输出,此时调节电位器W1,用示波器观察,使T3输出实验要求的脉冲信号;本实验中“运行方式”开关置为“单步”状态,每按动一次“启动运行”开关,则T3输出一个正单脉冲,其脉冲宽度与连续方式相同。

③ 向存储器的00地址单元中写入数据11,具体操作步骤如下:

SWB=1 KD7~D0=00000000 SWB=1 KD7~D0=00010001 LDAR=0 SWB=0 数据开关置数 0 开输入三态门 数据开关置数 CE=1 SWB=0 SWB=0 CE=1 LDAR=1 T3= 开输入三态门 数据置入地址寄存器 SWB=0 CE=0 WE=1 LDAR=0 T3= 数据置入 存储器RAM - 28 -

如果要对其它地址单元写入内容,方法同上,只是输入的地址和内容不同。 ④ 读出刚才写入00地址单元的内容,观察内容是否与写入的一致。具体操作步骤如下:

SWB=1 KD7~D0=00000000 SWB=1 CE=0 LDAR=0 WE=0 CE=1 SWB=0 SWB=0 CE=1 LDAR=1 T3= 开输入三态门 数据开关置数 数据置入地址寄存器 数据从存储器读出

三、实验数据记录

1、根据存储器的读写原理,填写下表。

控制信号 SWB开关 LDAR 开关 CE 开关 WE开关 写地址 写内容 读内容 2、记录向存储器写入数据的操作过程。

按照前面介绍的实验步骤向存储器地址为00H, 01H,02H,03H,04H,05H的单元分别写入数据:55H,33H,44H,66H,08H,F0H。

3、写出读出存储器单元内容的操作过程并记录以下地址单元读出的内容。

地址 00000000 00000001 00000010 00000011 内容 地址 00000100 00000101 00001000 00000100 内容

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