发布时间 : 星期二 文章第三章 - CMOS反相器介绍及设计 - 图文更新完毕开始阅读
上升时间
?反相器的上升反应时间决定于通过Rp对CL充电的时间
Department of Microelectronics, PKU，Xiaoyan Liu
下降时间
?反相器的
下降反应时间决定于通过Rn对CL放电的时间
Department of Microelectronics, PKU，Xiaoyan Liu
前级反相器的负载电容约为后级反相器的两个晶体管栅电容之和：
Cl=Cgp+Cgn=Cox(WpLp+WnLn)
VddViVoVddCgpViVoCgnVddViVoClCMOS反相器的传输延迟
由与输出节点相关的微分方程描述
dVoutCL?iC?iD,p?iD,ndt近似处理
dvtp?CL?ivV1??简化的RC充放电近似
V2tp= 0.69 CL(Reqn+Reqp)/2ln(0.5)
Department of Microelectronics, PKU，Xiaoyan Liu