CdTe薄膜太阳能电池研究现状及产业化进程

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在10mV电位下电纯化12h,加入H2SO4调节pH值达到2。在溶液中加入光谱纯的Te棒,然

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后使溶液中HTeC矿浓度达到120×l0,分别加入脉冲宽度为1s,电势为+0.4V和一0.75V于溶液电极上,经过90min电沉积,2;Lm厚的CdTe便在衬底上产生。

将制备好的玻璃/FTO/CdS/CdTe很快地(约为1s)转移到高纯水(约90℃)中,并缓慢地冷却到室温。然后将此样品用氮气冲干,并在真空中(1.33Pa)保持12h。接着在空气中400℃下退火处理15min后,CdS/p一CdTe异质结太阳电池便形成了。再利用比例为1:=的碳酸与铬酸钾溶液腐蚀2s,用高纯水漂洗数次烘干即可蒸发铜和金电极。 利用此方法制备CdS/CdTe太阳电池,转换效率约为10.8%,开路电压Voc≈753mV,短路电流Isc≈23.6mA/cm2,填充因子FF≈0.61。电脐电压。温度曲线测量表明,理想因子A随温度而变。当温度从344K变到202K时,A从1.88增加到4.49。而电压因子以在约6K以上几乎是常数。通过电容电压特性测量可知扩散势为1.2eV,电离电荷密度为5.9×15-3

10cm。从开路电压随温度变化特性测出势垒高度为1.42V。 3.5.3高温喷涂法

高温喷涂法是将CdCl2和硫豚溶液喷涂在加热的衬底上形成n-CdS膜。衬底一般用p-CdTe单晶材料。衬底加热到450C便形成n-CdS/p-CdTe异质结太阳电池,其转换效率大子6%。热处理后能改变太阳电他的性能,例如在420C下氢气中处理5min后,它的开路电

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压由原来0.55V增加到0.66V,短路电流由 1.77mA/cm增加到9.08mA/cm。 3.5.4高效多元化合物叠层多结太阳电池

为了提高转换效率,将CdTe、CdS和CulnSe2用Zn、Hg、Mn和Ga等取代Cd、In制成CdHgTe、CdZnTe、CdZnS和CuGaSe2等太阳电池。如CdHgTe/CdS和SnO2/CdTe太阳电池,其效率已达10%。这些新材料带隙不同并随成份改变而改变。最近发展起来的一种按带隙大小排列的叠层电他,其效率大为提高。

如果顶端带隙最大向下排列得到二电池的叠层电池理论效率可达37%,三电池达40%。 制备CdTyCdS太阳电池时,常发生互扩散,Te扩散入CdS层中形成CdS1,它具有纤锌矿结构,带隙小于CdS,Te扩散进窗口层降低了器件的Jsc,相似S扩散入CdTe内形成具有纤锌矿结构合金CdTe1-xSx, 带隙小于CdTe,CdTe/CdS内表面互扩散效应,对太阳电池效率是否有利尚不明确。 3. 6 环境与安全

大规模使用CdTe光伏技术的一大障碍和Cd的毒性有关。有效地处理废弃和破损的CdTe组件,技术上很简单。而Cd是重金属,有剧毒,Cd的化合物·与Cd一样有毒。主要危险是其尘埃通过呼吸造成对人类和其它动物的危害。因此对破损的玻璃片上的Cd和Te应去除并回收。损坏或废弃的组件必须妥善处理或用60%H2SO4+1.5%H202处理。 3.7国内外发展现状与趋势

CdTe薄膜太阳电池是薄膜太阳电池中发展较快的一种光伏器件。 1998年第二届世界光伏太阳能转换会议上,日本Matsushita Battery报道了CdTe太阳电池转换效率达到

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16.0%,Siemens报道了面积为3600cm电池转换效率达到11.1%的水平。美国国家可再生

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能源实验室提供了Solar Cells lnc的面积为 6879cmCdTe薄膜太阳电池的测试结果,转

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换效率达到7.7%;Bp Solar的CdTe薄膜太阳电池,面积为4540cm,效率为7.8%,

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面积为706cm的太阳电池,转换效率达到10.1%;Goldan Photon的CdTe太阳电池,面

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积为3676cm,转换效率为7.7%。

在广泛深入的应用研究基础上,国际上许多国家的CdTe薄膜太阳电池已由实验室研究阶段开始走向规模工业化生产。1998年美国的CdTe电池产量为0.2MW,日本的CdTe电池产量为2.0MW。德国ANTEC公司将在Rudisleben建成一家年产10MW的CdTe薄膜太阳电池组件生产厂,预计其生产成本将会低于$1.4/w。该组件不但性能优良,而且生产工艺先进,使得该光伏组件具有完美的外型,能在建筑物上使用,既拓宽了应用面,又可取代某些建筑材料而使电池成本进一步降低。BP Solar公司计划在Fairfield生产CdTe薄膜太阳电池。而Solar Cells公司也将进一步扩大CdTe薄膜太阳电池生产。 我国的CdTe薄膜太阳电池仍处于实验室基础应用研究阶段。有关CdTe薄膜太阳电池研究,除了内蒙古大学对电沉积n一CdTe薄膜的研究报道外,很少有这一领域的研究报道。今后我国在CdTe薄膜太阳电池领域应加大研究和开发力度,尽快向工业化生产发展,重点将在以下几个方面进行:研究CdS化学沉积方法及处理技术;CdTe的近空间升华沉积技术;

Cu掺杂ZnTe蒸发设备及沉积技术。以期获得性能良好的 CdTe/Cds太阳电池,在近期内小面积CdTe/CdS薄膜太阳电他的转换效率力争达到13%,以缩短和世界水平的差距。 4 .晶体硅薄膜的制备方法及晶体硅薄膜太阳电池

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