发布时间 : 星期三 文章电子技术实验教程实验二 - 图文更新完毕开始阅读
(3)共射极小信号直流放大系数(hFE、β) : 10~ 250。
(4)集电极—基极反向截止电流(ICBO): 锗管为几十u A,硅管为几u A。 (5) 集电极—射极反向截止电流(ICEO): ICEO=βCBO. (6)集电极—基极反向击穿电压(VBR CBO) :几十V~几百V。 ( 7) 集电极—射极反向击穿电压(V BRCEO)：几十V~几百V。 :
(8)发射极—基极反向击穿电压：几V~几十V。
(9)集电极最大允许电流：低频小功率锗、硅管:10~500mA、小于100 mA。 (10)集电极最大允许耗散功率：小功率管小于1W，人功率管人于1W。 3.三极管性能测试
（1）类型判别:即NPN或PNP类型判别。若采用机械表，则利用欧姆档测量正、
反向电阻判别。采用数字万用表的两个表笔对三极管的三个管脚两两相测；若红
表笔任意接三极管一个管脚，而黑表笔依次接触另外两个管脚，表头显示超量程“1”，则该管脚为b极，且该管为NPN, 反之，若测量显示与上述相反，则该管为PNP。
（2)电极判别:e、b、c管脚判别。
六、晶体管特性图示仪
1、使用方法
(1)打开电源开关，预热5分钟;
(2)示波管显示部分调整:亮度、聚焦、辅助聚焦;通过X, Y位移将光点调到合适位臵;
(3)集电极电源:将集电极电源的开关、旋钮根据被测管及测量要求调到合适位臵，其中“峰值电压”应臵于最小位臵，测量时慢慢增大;
(4) Y轴作用:将Y轴选择开关按测量要求调到合适位臵。 (5) X轴作用:将X轴选择开关按测量要求调到合适位臵。
(6)基极阶梯信号:将阶梯信号的开关、旋钮根据被测管及测量要求调到合适位臵;
(7)测试台:将测试选择开关全弹出，然后将被测管按对应的管脚插入管座，在将测试选择开关键入测试一方，即可进行有关测试。
(8)关机:仪器使用后关闭电源，将“峰值电压范围”臵10V,“峰值电压”旋钮臵0.“功耗限制电阻”臵1KΩ左右，\轴作用”臵1 mA/度，\轴作用”臵1V/度，“阶梯信号”臵0.01 mA/级；“重复、关:开关臵关位臵，以防下次使用仪器时，不致损坏管子。
(9)测量时，确定判明被测管的管脚(E, B, C)和极性，选择集电极电源和阶梯信号的“极性”。
(10)在测试中应特别注意“阶梯信号”选择旋钮、“功耗电阻”的位臵。加于被测管的电压和电流，务必从小到大慢慢增加;
(11)测试台上“测试选择”按键平常应处于不测试状态。
三、实验仪器
1.数字万用表（四位半）1台
2.晶体管特性图示仪1台 3.多功能实验箱1台
四、实验内容
1.辨认一组电阻器：辨认所给色标电阻的标称电阻及容许误差，判断其额定功率，并用数字万用表测量进行比较，将所测电阻按从小到大填入下表。 型号 RT 名称 色环 额定功率 标称电阻 容许误差 测量值 6.8Ω ±5% 6.780Ω 碳膜电阻 兰、灰、0.25W 金、金 RT 碳膜电阻 黄、紫、0.25W 棕、金 470Ω ±5% 468.5Ω RT 碳膜电阻 橙、紫、0.25W 黑、金 36Ω ±5% 36.02Ω RT 碳膜电阻 棕、黑、0.25W 橙、金 10000Ω ±5% 9386Ω RT 碳膜电阻 橙、白、0.25W 红、金 3900Ω ±5% 3827Ω RT 碳膜电阻 绿、兰、0.25W 黄、金 5.600kΩ ±5% 5560kΩ 2.辨认一组电容器
辨认所给电容的材料、标称容量及容许误差，将所读电容填入下表 型号 名称 直流工作电压 标称容量 容许误差 CD CC CD CC CL CL 铝电解 高频瓷 铝电解 高频瓷 涤纶等极性 涤纶等极性 50V 100V 25V 100V 100V 100V 3.3uF 15pF 22uF 6800pF 12nF 470nF 20% 20% 20% 20% 5% 5% 3.测量一组半导体器件
用数字万用表测量晶体管参数，填入下表。 测 型 IN4004 量 号 值 参 数 IN4148 9011（9013） BE结 BC结 0.6917V 溢出 9012 BE结 0.7062V 溢出 PNP硅管 BC结 0.7084V 溢出 正向压降 反向压降 管子类型 0.5775V 溢出 硅管 0.5988V 溢出 0.6974V 溢出 NPN硅管 4.测量晶体管电流放大倍数
a.按图3在多功能实验箱上搭接电路，经经检查无误后接通电源；
表3