发布时间 : 星期三 文章半导体专业英语词汇更新完毕开始阅读
96. Particle 含尘量/微尘粒子
97. PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1、工艺工程师 2、等离子体增强 98. PH: photo 黄光或微影 99. Pilot 实验的 100. Plasma 电浆
101. Pod 装晶舟与晶片的盒子 102. Polymer 聚合物
103. POR Process of record
104. PP: p-doped plus(P+) P型重掺杂 105. PR: photo resist 光阻 106. PVD 物理气相淀积 107. PW: p-doped well P阱 108. Queue time 等待时间 109. R/C: runcard 运作卡 110. Recipe 程式 111. Release 放行 112. Resistance 电阻 113. Reticle 光罩 114. RF 射频
115. RM: remove. 消除 116. Rotation 旋转
117. RTA: rapid thermal anneal 迅速热退火 118. RTP: rapid thermal process 迅速热处理 119. SA: salicide 硅化金属
120. SAB: salicide block 硅化金属阻止区 121. SAC: sacrifice layer 牺牲层 122. Scratch 刮伤
123. Selectivity 选择比
124. SEM：scanning electron microscope 扫描式电子显微镜 125. Slot 槽位
126. Source-Head 离子源 127. SPC 制程统计管制 128. Spin 旋转 129. Spin Dry 旋干 130. Sputter 溅射
131. SRO: Si rich oxide 富氧硅 132. Stocker 仓储 133. Stress 内应力
134. STRIP: 一种湿法刻蚀方式
135. TEOS – (CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPCVD /PECVD生长SiO2的原料。又指用TEOS生长得到的SiO2层。 136. Ti 钛
137. TiN 氮化钛
138. TM: top metal 顶层金属层
139. TOR Tool of record 140. Under Etch 蚀刻不足 141. USG: undoped 硅玻璃 142. W (Tungsten) 钨 143. WEE 周边曝光 144. mainframe 主机 145. cassette 晶片盒 146. amplifier 放大器 147. enclosure 外壳 148. wrench 扳手
149. swagelok 接头锁紧螺母 150. clamp 夹子 151. actuator激励
152. STI shallow trench isolantion 浅沟道隔离层 153. SAB 硅铝块
154. UBM球下金属层镀模工艺 155. RDL金属连线重排工艺
156. RIE reactinv ion etch 反应离子etch
157. ICP inductive couple plasma 感应等离子体 158. TFT thin film transistor 薄模晶体管
159. ALD atomic layer deposition 原子层淀积 160. BGA ball grid array 高脚封装
161. AAS atomic absorptions spectroscopy 原子吸附光谱 162. AFM atomic force microscopy 原子力显微 163. ASIC 特定用途集成电路 164. ATE 自动检测设备
165. SIP self-ionized plasma 自电离电浆 166. IGBT 绝缘门双极晶体管 167. PMD premetal dielectric 电容
168. TCU temperature control unit 温度控制设备 169. arc chamber 起弧室 170. vaporizer 蒸发器 171. filament 灯丝 172. repeller 反射板
173. ELS extended life source 高寿命离子源 174. analyzer magnet 磁分析器 175. post accel 后加速器
176. quad rupole lens 磁聚焦透镜 177. disk/flag faraday 束流测量器 178. e-shower 中性化电子子发生器 179. extrantion electrode 高压吸极 180. disk 靶盘
181. rotary drive 旋转运动 182. liner drive 直线往复运动
183. gyro drive 两方向偏转 184. flat aligener 平边检测器
185. loadlock valve 靶盘腔装片阀 186. reservoir 水槽 187. string filter 过滤器 188. DI filter 离子交换器 189. chiller 制冷机
190. heat exchange 热交换机 CVD
晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室 答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷 何谓半导体?
答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。 常用的半导体材料为何
答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa) 何谓VLSI
答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路 在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺 答：介电质(Dielectric)
薄膜区机台主要的功能为何 答：沉积介电质层及金属层 何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)
答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程 CVD分那几种?
答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式) 为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线? 答：良好的导体仅次于铜 介电材料的作用为何?
答：做为金属层之间的隔离 何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)
答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质 何谓IMD(Inter-Metal Dielectric) 答：金属层间介电质层。 何谓USG?
答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass) 何谓FSG?
答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass) 何谓BPSG?
答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass) 何谓TEOS?
答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅 TEOS在常温时是以何种形态存在?
答：液体
二氧化硅其K值为3.9表示何义
答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍 氟在CVD的工艺上，有何应用
答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体 简述Endpoint detector之作用原理.
答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被 detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint. 机台使用的管件材料主要有那些?
答：有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种. 机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何? 答：告知所有的人勿操作机台，避免危险 机台维修至少两人配合，有何目的?
答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生
更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作? 答：用氦气测漏机来做测漏
维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套 答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作 何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什幺? 答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.
真空Pump的作用？
答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力 何谓内部连锁(Interlock)
答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.
机台设定许多interlock有何作用?
答：机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作. Wafer Scrubber的功能为何? 答：移除芯片表面的污染粒子