发布时间 : 星期二 文章微星970A-G46主板BIOS图文详解教程更新完毕开始阅读
二、OC（超频）设置
点击进入超频设置。
超频设置选项
这是有关CPU、内存频率，电压等设置，涉及系统的性能。
2-1、Adjust CPU FSB Frequency（调整CPU 前端总线频率） 通过键盘的+/-键，调整频率，每敲一次键加减1MHz。
调整FSB频率直接影响内存频率。所以，超频时请注意内存频率要与内存条标称频率相近，如果偏差较大，可能导致超频失败。
2-2、Adjust CPU Ratio（调整CPU倍频） 此项仅在处理器至此功能是可用
在此敲回车，弹出倍频选择菜单，从中选择你想用的倍频。对于锁倍频的CPU来说，只能降不能升。不锁倍频的CPU可以在这里超倍频。
2-3、Adjust CPU-NB Ratio（调整CPU-NB倍频） 这是设置CPU和北桥之间的倍率，可设置的倍频从4到10。也就是设置CPU和北桥的HT总线频率。默认是Auto。
2-4、OC Genie Lite（超频精灵）
这是微星的自动超频，设置项有Disabled（关闭）和Enabled（开启），默认是关闭。
2-5、CPU Smart Protection（CPU智能保护）
CPU智能保护是CPU过热的保护机制。当CPU温度太热时，他将自动降低时钟。
2-6、Unlock CPU Core（CPU开核）
这是开启被屏蔽的核心。设置项有Disabled（关闭），Enabled（开启）。如果是用可以开核的CPU，Enabled该选项就可以，如果超频失败了，为了超频成功，请将FSB频率调整为较低的数值。
2-7、CPU Core Control（CPU核心管理）
如果开核后，有的核心不能使用，可以在这里关闭。设置项有Auto和Manual，Manual就是手动管理CPU内核，选定Manual后，就会显示CPU的所有内核，除第一个外，其余都可以手动设置开启或关闭。
2-8、DRAM Frequency（内存频率设置）
这里是设置内存频率的，按AMD规格，内存最高支持DDR3 1600MHz，如果FSB超频可以突破1600到1866和2133HMz。
2-9、DRAM Timing Mode（DRAM时序模式）
这里是设置内存时序的，设置项有Auto（自动）/Link（双通道同时调）/Unlink（每个通道分别调），默认是Auto。如果设定Link（2通道联调）/Unlink（每通道单调），Advanced DRAM Configuration就变成可以设置的。
2-9-1、Advanced DRAM Configuration（高级DRAM配置）
每一项后面的2就表示同时设置2个通道。
Command Rate：命令速率，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。设置项有Auto/1T/2T，默认是Auto，1T比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto就是依据SPD设置。
tCL（CAS Latency）：列地址选通潜伏时间，指的是在当前行访问和读一特定列的时钟周期。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存单元是按矩阵排列的，读写内存单元中的数据，首先是根据矩阵的“行”和“列”地址寻
址的。当内存读写请求触发后，最初是tRP（Active to Precharge Delay：预充电延迟），预充电后，内存才真正开始初始化RAS（内存行地址选通）。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe行地址选通 ）开始对需要的数据进行寻址。首先是“行”地址，然后初始化tRCD（RAS to CAS Delay行地址到列地址延迟），接着通过CAS（列地址选通）访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 该参数对内存性能的影响最大， 是JEDEC规范中排在第一的参数，CAS值越低，内存读写操作越快，但稳定性下降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。参数范围4-12T。
tRCD（RAS to CAS Delay）：行地址到列地址的延迟时间，这是激活行地址选通和开始读列地址选通之间的时钟周期延迟。JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。参数范围5-12T。
tRP（Row precharge Delay）：行地址选通预充电时间。这是从一个行地址转换到下一个行地址所需的时钟周期（比如从一个Bank转换到下一个Bank）。预充电参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。
但是该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定。参数范围5-12T。JEDEC规范中，它是排在第三的参数。
tRAS(Row active Strobe)：行地址选通。这是预充电和行数据存取之间的预充电延迟时间。也就是“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。参数范围15-30T。JEDEC规范中，它是排在第四的参数。
tRTP（DRAM READ to PRE Time）：内部读取到预充电命令时间。这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定。参数范围4-7T。
tRC（Timing of Row Cycle）：行周期时间。这是从一个有效命令到下一个有效命令（或自动刷新命令）的总的周期时间。一般情况下tRC=tRAS+tRP。参数值小，系统运行很快，但不稳定。参数范围11-42T。
tWR（Timing of Write Recovery）：写恢复时间。这是一个有效的“写”动作和bank预充电到数据能正确写入之间的时间。就是说在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWR虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。参数范围5-12T。
tRRD（RAS to RAS Delay）：行选通到行选通延迟，也称为Row to Row delay。这是表示“行单元到
行单元的延时”。该值也表示在同一个内存模组连续的行选通动作或者预充电行数据命令的最小延迟时间。tRRD值越小延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。参数范围4-7T。
tWTR（Write to Read Delay）：写到读延时。这个参数表示在同一内存Bank区写命令和下一个读命令之间的延迟时间。也就是在同一个单元中，最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。参数范围4-7T。
tCWL（CAS to Write Latency）：从CAS到写命令开始的延迟。就说从列地址选通到开始写入的时间。参数范围5-8T。
tFAW（Four Activate Window）：FAW是Four Bank Activate Window的缩写，4个Bank激活窗口。这个参数就是4个Bank激活窗口的延迟。通常在8-bank设备中滚动tFAW窗口不要超过4bank。参数范围16-32T。
tREF（Refresh Period）：刷新周期。它指内存模块的刷新周期。内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。参数范围7.8/3.9us。
tRFC0（Refresh Cycle Time）：刷新周期时间，这个参数表示自动刷新“行”周期时间，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。参数范围90ns-350ns。 行刷新是按内存插槽进行的。所以tRFC参数有时又按内存的DIMM槽细分为tRFC0（DIMM0的）/tRFC1（DIMM1的）/tRFC2（DIMM2的）/tRFC3（DIMM3的）。
tRFC1（Refresh Cycle Time）：刷新周期时间，这个参数表示自动刷新“行”周期时间，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。参数范围90ns-350ns。 行刷新是按内存插槽进行的。所以tRFC参数有时又按内存的DIMM槽细分为tRFC0（DIMM0的）/tRFC1（DIMM1的）/tRFC2（DIMM2的）/tRFC3（DIMM3的）。
2-9-2、Advanced Channel Timing Configuration（高级通道时序配置） 这里设置通道时序。
tRWTTO（Timing of Read to Write）：数据从读到写转变时间。这是CAS读操作命令最后周期到下一个写操作命令之间的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。参数范围