发布时间 : 星期二 文章微星AMD - 785G主板的BIOS设置详解 - 图文更新完毕开始阅读
内存时序参数最主要的有4个。CL-tRCD-tRP-tRAS，这4个参数也是在内存条上常常看到的，比如8-8-8-24，就是这4个参数。 附注：内存时序参数知识
1、内存芯片内部的存储单元是矩阵排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址标识一个内存单元。
2、内存寻址就是通过行地址和列地址寻找内存的一个存储单元。系统发出的地址编码需要经过地址译码器译出行地址和列地址，才可以对内存读写。
3、内存芯片是易失性存储器，必须经常对内存的每个存储单元充电，才可以保持存储的数据。读写前要先对选定的存储单元预充电（Pre charge）。
4、对内存的存储单元读写前要先发出激活（Active）命令，然后才是读写命令。
5、CL就是CAS Latency，CAS（列地址选通）潜伏时间，实际上也是延迟。指的是CPU发出读命令到获得内存输出数据的时间间隔。
6、tRCD是RAS-to-CAS Delay，行地址选通到列地址选通的延迟。一般是指发出激活命令和读写命令之间的时间间隔。在这段时间内经过充电，数据信号足够强。
7、tRP是Row-Pre charge Delay，行预充电延迟。一般是指发出预充电命令和激活命令之间的时间间隔。在这段时间内对激活的行充电。
8、tRAS是Row-active Delay，行激活延迟。一般是指行激活命令和发出预充电命令之间的时间间隔。
9、上述潜伏和延迟时间可以用绝对时间值ns，也可用相对时间—周期。一般多用周期表达。周期数越小，内存的速度越高。选购内存，不仅要看标注的频率，还要看标注的时序参数。内存时序参数标准由JEDEC制定。下面列出DDR3的时序参数规格，供参考。
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标准的时序参数有7-7-7/8-8-8/9-9-9三种，其中7-7-7的最好。还有非标准的7-8-8/8-9-9的，这种时序参数的内存条，上标称频率就会死机蓝屏。降一级频率就没有问题。 2-2-2-2、DRAM Drive Strength：DRAM驱动强度。
该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时，会增加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目：
每个通道的信号驱动强度设置包括8项。
CKE Drive Strength：时钟允许（Clock enable）信号驱动强度
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CS/ODT Drive Strength：片选/内建终端电阻驱动强度 Addr/Cmd Drive Strength：地址/命令驱动强度 Clock Drive Strength：时钟信号驱动强度 Data Drive Strength：数据信号驱动强度 DQS Drive Strebgth：数据请求信号驱动强度 ProcOdt：CPU内建终端电阻
驱动强度的设置就是用户设置内存信号的强度，一般以默认为1，设置选项是默认的倍率：
2-2-2-3、DRAM Advance Control：DRAM高级控制。
该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时，会增加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目：
每个通道的高级控制有6项。
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DRAM Termination：内存芯片的片内终端电阻。从DDR2开始内存防止信号干扰的终端电阻放在芯片内。DDR3也是这样。这项是设置终端电阻的参数，设置参数有Auto、Disabled、75 ohms、150 ohms、50 ohms。默认是Auto。
DRAM Drive Weak：减弱DRAM驱动强度。设置参数有Auto、Normal、Reduced。Auto是让BIOS依据内存条自动设置。Normal是默认强度，Reduced是减弱驱动强度。
DRAM Parity Enable：允许DRAM 奇偶校验。奇偶校验是对内存读写是防止数据错误的一种方法。但允许奇偶校验会影响内存读写速度。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。 DRAM Self Refresh Rate Enable：允许DRAM自刷新速率。DRAM刷新就是充电，通过充电保持数据信号。自刷新是关闭系统时钟CKE，DRAM采用自己的内部时钟确定刷新速率。设置参数有Auto、Enabled、Disabled。默认设置是Auto。
DRAM Burst Length 32：DRAM突发模式的长度32。突发模式是系统对内存读写时一次连续读写。连续读写的长度有32字节和64字节。这项设置就是选择32字节，还是64字节。设置参数有Auto、64字节、32字节。默认是Auto。Auto就是由系统依据数据分布自动采用突发模式的长度。
Bank Swizzle Mode：Bank搅和模式。内存芯片内的存储单元是按矩阵排列的，每一矩阵组成一个Bank，芯片内的Bank有4 Bank、8 Bank等，一般中文称之为逻辑Bank。
内存芯片组成内存条后，也有Bank，一般以64位为一个Bank。通常一面内存的8颗芯片构成一个Bank。双面就是2个Bank。CPU和内存进行数据交换时以Bank为单位，一次交换64位数据，也就是通常说的“带宽”，双通道就是128位。这种Bank称之为物理Bank。CPU访问内存时先定位物理Bank，然后通过片选（信号）定位芯片内的逻辑Bank。
插在DIMM槽的内存条有1个或2个片选Bank，访问命令不管实际有几个片选Bank，都是覆盖2个。Bank Swizzle模式就是通过异或（XOR）逻辑运算，判定实际的片选Bank。设置参数有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交给BIOS和系统处理。Disabled就是禁止Swizzle模式，Enabled就是允许。Swizzle模式可以提高CPU的性能，但是会影响显卡性能。一般还是设置Auto为好。 2-2-2-4、1T/2T Memory Timing：1T/2T内存时序。这个选项也叫做“命令速度”，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。1T当然比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto设置即可，让BIOS自己去设置。
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