发布时间 : 星期六 文章模电1-3章2011课后习题更新完毕开始阅读
一、填空
1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变 窄 ；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变 宽 。
2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的 单向导电 特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的 反向击穿 特性。
3. 三极管工作在放大状态时，发射结应 正 偏置，集电结应 反 偏置。若工作在饱和状态时，发射结应 正 偏置，集电结应 正 偏置。若工作在截止状态时，发射结应 反 偏置，集电结应 反 偏置。
4. 三极管电流放大系数β＝50，则α＝ 0.98 ；若α＝0.99，则β＝ 99 。 5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β 增大 ，穿透电流ICEO 增加 ，当IB不变时，发射结正向压降|UBE| 减小 。 6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大 ；若负载电阻RL变小时，其电压增益将变 小 。
7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic偏大 ；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。 8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是 共集 电路；通频带较宽的是 共基 电路；输入电阻较小的是 共基 电路；输出电阻较小的是 共集 电路；输出信号与输入信号同相位的是 共集和共基 电路；电压增益小于1的是 共集 电路；带负载能力较强的是 共集 电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是 共射 电路。
9. 单级组容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频率fH时，这时电路的实际增益为 -77.7 ，其输出与输入信号的相位相差 -225 度。
10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为 100 倍，上限频率fH＝ 2×106 Hz，下限频率fL＝ 20 Hz，当信
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号频率恰好为fH或fL时，实际电压增益为 37 dB。
11. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是 载流子的浓度差 作用下产生的，漂移运动是 载流子在内电场 作用下产生的。
12. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。 13. 在三极管多级放大电路中，已知AV1＝20，AV2＝-10，AV3＝1，AV1是 共基 放大器，AV2是 共射 放大器，AV3是 共集 放大器。
14.射极输出器的主要特点是：电压放大倍数 近似为1 、输入电阻 比较大 、输出电阻 比较小 。
15. 半导体中有 自由电子 和 空穴 两种载流子。本征半导体的导电能力取决于 环境温度或光照强度 ，杂质半导体的导电能力主要取决于 掺杂浓度 。
16．温度升高，本征载流子浓度 增加 ；杂质半导体中少子浓度 增加 ，多子浓度 基本不变 。
17.改变半导体导电能力的方法有 受到外界光和热的刺激 和 在纯净的 半导体中加入微量的杂质 。
18.N型半导体的多数载流子是 自由电子 ，少数载流子是 空穴 。 19.P型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 自由电子 。 20.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的 扩散运动 和少数载流子的 漂移运动 。
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21.PN结的电击穿分为 雪崩击穿 和 齐纳击穿 两种类型。 22.BJT所代表的电气元件是 双极结型晶体管 。
23.三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 线性放大区 和 截止区 。 24.静态工作点Q点一般选择在 交流 负载线的中央。
25.根据结构的不同，场效应管可分为 结型场效应管 和 金属－氧化物－半导体场效应管 两类。
26. MOSFET所代表的电气元件是 金属－氧化物－半导体场效应管 。 27.共集电极电路又被称为 电压跟随器 ；共基极电路又被称为 电流跟随器 。 28.静态工作点Q点选得过低会导致 截止 失真；Q点选得过高会导致 饱和 失真。
29. 三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求 发射区 杂质浓度要远大于 基区 杂质浓度，同时基区厚度要很 小 ；另一方面要满足外部条件，即发射结要 正向 偏置、集电结要 反向 偏置。
30. 对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是 共集电极电路 、称为电流跟随器的电路是 共基极电路 、称为电压跟随器的电路是 共集电极电路 。
31. 在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是 共射极放大电路 ；仅具有电压放大作用的电路是 共集电极电路 ；仅具有电流放大作用的电路是 共基极电路 。
32. 场效应管是一种利用 电场效应 来控制其电流大小的半导体器件。 33. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于 反向击穿 （正向导通；反向截止；反向击穿）。
34. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。 35. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数 近似为1 ；输入电阻 很大 ；输出电阻 很小 。
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36. 多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的 之积 。
37. 将几级放大电路串联起来后，总电压增益虽然提高了，但通频带变 窄 了。 38. 半功率点指的是在输入信号幅值不变的的条件下，增益下降 3 dB的频率点，即与中频段相比输出电压下降 0.707 倍。
39. JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变 导电沟道 的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面 感生电荷 的多少，从而控制漏极电流的大小。
40.对于下图所示电路，设VCC=12V，Rb=510kΩ，Rc=8 kΩ，VBE=0.7V，VCE（sat）=0.3V,当β=50，静态电流IBQ= 22μA ，ICQ= 1.1mA ，管压降VCEQ= 3.2V ；若换上一个当β=80，静态电流IBQ= 22μA ，ICQ= 1.46mA ，管压降VCEQ= 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。
41.对于下图所示电路，设VCC=12V，三级管β=50，VBE=0.7V，若要求静态电流ICQ=2mA，VCEQ=4V，则电路中的Rb= 282.5 kΩ ，RC= 4 kΩ 。
42.对于下图所示电路，已知VCC=12V，Rb1=27 kΩ，Rc=2 kΩ,Re=1 kΩ,VBE=0.7V,现要求静态电流ICQ=3mA，则Rb2= 12 kΩ 。
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