西北工业课后答案西北工业大学 材料科学与工程 - 图文

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?????,?2110??,1010??,1120??,1210?等。 2. 在六方晶体中,绘出以下常见晶向?0001?晶面及102,211,?346?晶向。 1.作图表示立方晶体的?123?,012,?421??3. 写出立方晶体中晶面族{100},{110},{111},{112}等所包括的等价晶面。

4. 镁的原子堆积密度和所有hcp金属一样,为0.74。试求镁单位晶胞的体积。已知Mg的密度原子半径r=0.161nm。

?5. 当CN=6时Na离子半径为0.097nm,试问:

?mg?1.74Mg/m3,相对原子质量为24.31,

1) 当CN=4时,其半径为多少? 2) 当CN=8时,其半径为多少?

6. 试问:在铜(fcc,a=0.361nm)的<100>方向及铁(bcc,a=0.286nm)的<100>方向,原子的线密度为多少? 7. 镍为面心立方结构,其原子半径为

2rNi?0.1246nm。试确定在镍的(100)

,(110)及(111)平面上1mm中各有多少个原子。

38. 石英?SiO2?的密度为2.65Mg/m。试问: 31) 1m中有多少个硅原子(与氧原子)?

2) 当硅与氧的半径分别为0.038nm与0.114nm时,其堆积密度为多少(假设原子是球形的)?

9. 在800℃时10个原子中有一个原子具有足够能量可在固体内移动,而在900℃时10个原子中则只有一个原子,试求其激活能(J/原子)。 10. 若将一块铁加热至850℃,然后快速冷却到20℃。试计算处理前后空位数应增加多少倍(设铁中形成一摩尔空位所需要的能量为104600J)。 11. 设图1-18所示的立方晶体的滑移面ABCD平行于晶体的上、下底面。若该滑移面上有一正方形位错环,如果位错环的各段分别与滑移面各边平行,其柏氏矢量b∥AB。

1) 有人认为“此位错环运动移出晶体后,滑移面上产生的滑移台阶应为4个b,试问这种看法是否正确?为什么? 2) 指出位错环上各段位错线的类型,并画出位错运动出晶体后,滑移方向及滑移量。

10912. 设图1-19所示立方晶体中的滑移面ABCD平行于晶体的上、下底面。晶体中有一条位错线面垂直。位错的柏氏矢量b与

fed,de段在滑移面上并平行AB,ef段与滑移

de平行而与ef垂直。试问:

1) 欲使de段位错在ABCD滑移面上运动而ef不动,应对晶体施加怎样的应力? 2) 在上述应力作用下de位错线如何运动?晶体外形如何变化?

a1)为滑移面,位错滑移后的滑移矢量为2110。 13. 设面心立方晶体中的(111) 在晶胞中画出柏氏矢量b的方向并计算出其大小。

2) 在晶胞中画出引起该滑移的刃型位错和螺型位错的位错线方向,并写出此二位错线的晶向指数。 14. 判断下列位错反应能否进行。

??aaa[101]?[121]?[111];631) 2

a[100]?2)

aa[101]?[101];22

aaa[112]?[111]?[111];263) 3

a[100]?4)

aa[111]?[111].22

aa[101][121]215. 若面心立方晶体中有b=的单位位错及b=6的不全位错,此二位错相遇产生位错反应。

1) 问此反应能否进行?为什么?

2) 写出合成位错的柏氏矢量,并说明合成位错的类型。 16. 若已知某晶体中位错密度

??106~107cm/cm3。

?41) 由实验测得F-R位错源的平均长度为10cm,求位错网络中F-R位错源的数目。

2) 计算具有这种F-R位错源的镍晶体发生滑移时所需要的切应力。已知Ni的

G?7.9?1010Pa,a?0.350nm。

17. 已知柏氏矢量b=0.25nm,如果对称倾侧晶界的取向差

?=1°及10°,求晶界上位错之间的距离。从计算结果可得到什么结论?

18. 由n个刃型位错组成亚晶界,其晶界取向差为0.057°。设在形成亚晶界之前位错间无交互作用,试问形成亚晶界后,畸变能是原来的多少倍

(设

R?10?4,r0?b?10?8;形成亚晶界后,R?D??b)?

19. 用位错理论证明小角度晶界的晶界能?与位向差20. 简单回答下列各题。

1) 空间点阵与晶体点阵有何区别?

?的关系为???0??A?ln??。式中?0和A为常数。

2) 金属的3种常见晶体结构中,不能作为一种空间点阵的是哪种结构? 3) 原子半径与晶体结构有关。当晶体结构的配位数降低时原子半径如何变化? 4) 在晶体中插入柱状半原子面时能否形成位错环?

5) 计算位错运动受力的表达式为f??b,其中?是指什么?

6) 位错受力后运动方向处处垂直于位错线,在运动过程中是可变的,晶体作相对滑动的方向应是什么方向? 7) 位错线上的割阶一般如何形成? 8) 界面能最低的界面是什么界面?

9) “小角度晶界都是由刃型位错排成墙而构成的”这种说法对吗?

有关晶面及晶向附图2.1所示。

2.见附图2.2所示。

3.{100}=(100)十(010)+(001),共3个等价面。

{110}=(110)十(110)+(101)+(101)+(011)+(011),共6个等价面。 {111}=(111)+(111)+(111)+(111),共4个等价面。

{112}?(112)?(112)?(112)?(112)?(121)?(121) ?(121)?(121)?(211)?(211)?(211)?(211)

共12个等价面。

4.单位晶胞的体积为VCu=0.14 nm3(或1.4×10-28m3 5.(1)0.088 nm;(2)0.100 nm。

6.Cu原子的线密度为2.77×106个原子/mm。

Fe原子的线密度为3.50×106个原子/mm。

7.1.6l×l013个原子/mm2;1.14X1013个原子/mm2;1.86×1013个原子/mm2。

8.(1) 5.29×1028个矽原子/m3; (2) 0.33。

9.9. 0.4×10-18/个原子。 10.

1.06×1014倍。

11.

(1) 这种看法不正确。在位错环运动移

出晶体后,滑移面上、下两部分晶体相对移动的距离是由其柏氏矢量决定的。位错环的柏氏矢量为b,故其相对滑移了一个b的距离。

(2) A'B'为右螺型位错,C'D'为左螺型位错;

B'C'为正刃型位错,D'A'为负刃型位错。位错运动移出晶体后滑移方向及滑移量如附图2.3所示。

12.

(1)应沿滑移面上、下两部分晶体施加一切应力η0,的方向应与de位错线平行。

(2)在上述切应力作用下,位错线de将向左(或右)移动,即沿着与位错线de垂直的方向(且在滑移面上)移动。在位错线沿滑移面旋转360°后,在晶体表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个b的台阶。

13.

(1)

b?a2[110]|b|?a22,其方向见附图2.4所示。 ,其大小为

(2) 位错线方向及指数如附图2.4所示。

14.

(1) 能。几何条件:∑b前=∑b后=

a[111]3;能量条件:∑b2前

22a=3>∑b2后=

12a3

(2) 不能。能量条件:∑b前2=∑b后2,两边能量相等。

(3) 不能。几何条件:∑b前=a/b[557],∑b后=a/b[11ˉ1],不能满足。

32a=2,即反应后能量升高。

(4) 不能。能量条件:∑b前=a < ∑b后

22 2

15.

(1) 能够进行。因为既满足几何条件:∑b前=∑b后=

a[111]3,又满足能量条件:∑b2前=

22a3>∑b2后=

12a3

a[111](2) b合=3;该位错为弗兰克不全位错。

16.

(1)假设晶体中位错线互相缠结、互相钉扎,则可能存在的位错源数目

Ni

n??l?1010~1011个/Cm3。

(2) η=1.95×107 Pa。

17.

当θ=1°,D=14 nm;θ=10°,D=1.4 nm时,即位错之间仅有5~6个原子间距,

此时位错密度太大,说明当θ角较大时,该模型已不适用。

18.

畸变能是原来的0.75倍 (说明形成亚晶界后,位错能量降低)。

19.

设小角度晶界的结构由刃型位错排列而成,位错间距为D。晶界的能量γ由位错的能量

??ElE?DlD

E构成,设l为位错线的长度,由附图2.5可知,

E?由位错的能量计算可知,

Gb2Rln?E中心4?(1??)r0

取R=D (超过D的地方,应力场相互抵消),r0=b和θ=b/D代入上式可得:

?Gb2D?=[ln?E中心]b4?(1??)bG?b1?E中心 ?ln???0?(A?ln?)4?(1??)?b

Gb,4?(1??)4?(1??)E中心Gb?0=A?式中

20.

(1)晶体点阵也称晶体结构,是指原子的具体排列;而空间点阵则是忽略了原子的体积,而把它们抽象为纯几何

点。(2) 密排六方结构。

(3) 原子半径发生收缩。这是因为原子要尽量保持自己所占的体积不变或少变 [原子所占体积VA=原子的体积(4/3πr3+间隙体积],当晶体结构的配位数减小时,即发生间隙体积的增加,若要维持上述方程的平衡,则原子半径必然发生收缩。

(4) 不能。因为位错环是通过环内晶体发生滑移、环外晶体不滑移才能形成。 (5) 外力在滑移面的滑移方向上的分切应力。(6) 始终是柏氏矢量方向。 (7) 位错的交割。(8) 共格界面。

(9) 否,扭转晶界就由交叉的同号螺型位错构成。

说明间隙固熔体与间隙化合物有什么异同。

2.有序合金的原子排列有何特点?这种排列和结合键有什么关系?为什么许多有序合金在高温下变成无序?

?2?2?2x?12/10x?20/10x?42.5/10SnZnCd3.已知Cd,Zn,Sn,Sb等元素在Ag中的固熔度(摩尔分数)极限分别为,,,

xSb?7/10?2,它们的原子直径分别为0.3042nm,0.314nm,0.316nm,0.3228nm,Ag为0.2883nm。试分析其固熔

度(摩尔分数)极限差别的原因,并计算它们在固熔度(摩尔分数)极限时的电子浓度。

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