发布时间 : 星期六 文章TSMC工艺的 - 版图教程更新完毕开始阅读
接着点击空白处，然后按快捷键L 弹出以下窗口
在Label这里输入名称(注意这个名称要与
schematic图中节点的名称要相同)，Height这里设置字体的高度，Font这里设置字体的样式，然后按回车，将PIN脚摆放到正确位置
7、补全其它连线
因为上图并不完整，还有很多连线没有连。[在熟悉版图画法之后这一步是放在前面做的，因为我们熟悉画法后就知道哪里是VDD、gnd、输入和输出]
画完这个7步骤以后点左边工具栏的SAVE保存，然后就可以进行后面的DRC、LVS和PEX了。
补充知识--多层金属连线：
29
(以下讲解两层金属metal1和metal2的布线) 由于金属走线经常会交叉，所以单层金属是不够的，这就涉及到多层金属的布线。
metal2 drw是金属层2
metal1和metal2之间用通孔M2_M1
——————————————————————————————————
画版图一些技巧：
1、所有的MOS管最好同方向(竖方向)，不要有有横有竖。最好是PMOS管放一起(比如一起放上面)，NMOS管放一起(一起放下面)，不一定是按照schematic电路图上的MOS管顺序来摆放。
2、走线不要穿过MOS管，要绕过去。
3、单排衬底接触最长不要超过100um，比较敏感的管子要多加些接触(两排或多排)，衬底接触少了电阻会大。一般情况我们采用单排衬底(即rows或columns=1) 4、横线用金属2，竖线用金属1，金属越宽电阻越小。我们一般取0.5u宽度。 [寄生电容与发生寄生电容的两导体面积成正比，因此线宽就0.5u够了(能承受1mA)，不需要再大。(TED)]
5、版图的PMOS管和NMOS管 源极和漏极是不区分的，上下的poly1都是栅极。
6、衬底接触一般在下面画一排接触即可，对于数模混合电路某个MOS管是特别敏感的那用衬底全包围。
7、走线尽可能短，尽量画的紧凑，减少延时。 8、尽量不用POLY来走线，如果两个栅极之间具体太长，中间用金属走线。poly的长度最多是3-5um。
9、同一层Metal之间的距离要大于最小值0.23um，一般是设置成大于0.5um。比如两条metal1走线之间的距离要大于0.5um。
10、PMOS管的衬底全部接VDD，NMOS管的衬底全部接地
各种器件之间的距离：
1、PMOS管和NMOS管之间的距离一般控制在1um以上，太近DRC报错 2、两个不同电压nwell之间的距离要大于1.4u，因此一开始要预留5um 3、Nwell和NMOS管之间的距离推荐是大于1u 4、Nwell和衬底接触以及PMOS管的距离0.5u左右 5、衬底接触和mos管距离一般设置为0.5u
电容和电阻器件不选择analoglib里面的cap和res(这两个是理想电容电阻)，电容一般选择tsmc里面的mimcap，电阻则要看电阻率等具体要求。(TED&黄)
30
———————————————————————————————— 快捷键
K 尺寸距离 (shift + k撤销尺寸) S修整
M 移动 选上后右键可旋转
Z 放大（ctrl+z 放大两倍，shift +z 缩小两倍） Shift 选择多个器件
Shift+F 显示NMOS和PMOS器件的版图
O 打孔(pmos管衬底属性选择M1_NWELL nmos管选择M1_SUB 金属和poly打孔属性选择M1_POLY1)
三、后端验证和提取
后端仿真首先要DRC，然后LVS，然后PEX提取寄生参数。最后用Hspice仿真器仿真提取参数后的网表。 这里主要用到的是calibre工具
1、 DRC
(上面工具栏中calibre—选择Run DRC)弹出下面窗口
Runset File是RUN DRC时需要填入的一些设置，方便于下次RUN，可直接取消掉
DRC主要设置rules的位置和DCR Run的路径 [其余的都默认]
31
Rules这里选择TSMC库文件中calibre文件下的calibre.drc
(这里的DRC Run Directory 是自己创建的一个文件夹，su xue~cd /home/xue ~ mkdir drc)[这里dcr改为verify/dcr]
然后点击Run DRC 弹出以下窗口
(运行完成之后的弹出的窗口)
点开看，如果是area coverage 那就是覆盖率的问题，这种错误不用理会。[比如上图中得这8个错误是没关系的]
2、Run LVS
同样Runset File点取消 设置rules和input的netlist
32