发布时间 : 星期三 文章改吴友宇主编《模拟电子技术基础》课后习题答案更新完毕开始阅读
36. 某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为-9V、-6V和-6.2V，则三极管的集电极是 A ，基极是 C ，发射极是 B 。该三极管属于 PNP 型，由 锗 半导体材料制成。
37. 电压跟随器指共 集电 极电路，其 电压 的放大倍数为1； 电流跟随器指共 基 极电路，指 电流 的放大倍数为1。
38. 温度对三极管的参数影响较大，当温度升高时，ICBO 增加 ，? 增加 ，正向发射结电压UBE 减小 ，PCM 减小 。
39. 当温度升高时，共发射极输入特性曲线将 左移 ，输出特性曲线将 上移 ，而且输出
特性曲线之间的间隔将 增大 。
40. 放大器产生非线性失真的原因是 三极管或场效应管工作在非放大区 。
41. 在题图3.0.2电路中，某一参数变化时，VCEQ的变化情况（a. 增加，b，减小，c. 不变，将答案填入相应的空格内）。 （1）Rb增加时，VCEQ将 增大 。 （2）Rc减小时，VCEQ将 增大 。 （3）RC增加时，VCEQ将 减小 。 （4）Rs增加时，VCEQ将 不变 。 （5）?减小时（换管子），VCEQ将 增大 。 （6）环境温度升高时，VCEQ将 减小 。
题图3.0.2
42. 在题图3.0.3电路中，当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态和性能的变化。（在相应的空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。） （1）若Rb阻值减小，则静态电流IB将 增大 ，VCE将 减小 ，电压放大倍数Av将 增大。
VCE将 增大，（2）若换一个?值较小的晶体管，则静态的IB将 不变 ，电压放大倍数Av将 减小。
（3）若RC阻值增大，则静态电流IB将 不变 ， VCE将 减小 ，电压放大倍数Av将 增大 。
题图3.0.3
43. 放大器的频率特性表明放大器对 不同频率信号 适应程度。表征频率特性的主要指标
是 中频电压放大倍数 ， 上限截止频率 和 下限截止频率 。 44. 放大器的频率特性包括 幅频响应 和 相频响应 两个方面，产生频率失真的原因是 放大器对不同频率的信号放大倍数不同 。
45. 频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 放大器对不同频率的正弦信号的稳态响应。 46. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。 47. 幅频响应的通带和阻带的界限频率被称为 截止频率 。
48. 阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号时，低频区电压增益下降的原因是由于存在 耦合电容和旁路电容的影响 ；高频区电压增益下降的原因是由于存在 放大器件内部的极间电容的影响 。
49. 单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，电压增益的幅值比中频时下降了 3 dB，高、低频输出电压与中频时相比有附加相移，分别为 -45o 和+45o 。
50. 在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频响应高频区的斜率为 -20dB/十倍频 ，幅频
响应低频区的斜率为-20dB/十倍频 ；附加相移高频区的斜率为 -45o/十倍频 ，附加相移低频区的斜率为 +45o/十倍频 。
??40dB，51. 一个单级放大器的下限频率为fL?100Hz，上限频率为fH?30kHz，AVM如果输入一个15sin(100,000?t)mV的正弦波信号，该输入信号频率为 50kHz ，该电路 不会 产生波形失真。
52. 多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带变 窄 ，电压增益 增大 ，高频区附加相移 增大 。
二、判断题
1. 下列三极管均处于放大状态，试识别其管脚、判断其类型及材料，并简要说明理由。 （1）3.2V，5V，3V；
解：锗NPN型BJT管 VBE=0.2 V 所以为锗管；5V为集电极，3.2V为基极，3V为发射极，
（2）－9V，－5V，－5.7V
解：硅PNP型BJT管；－9V为集电极，－5.7V为基极，－5V为发射极 （3）2V，2.7V，6V；
解：硅NPN型BJT管；6V为集电极，2.7V为基极，2V为发射极 （4）5V，1.2V，0.5V；
解：硅NPN型BJT管；5V为集电极，1.2V为基极，0.5V为发射极 （5）9V，8.3V，4V
解：硅PNP型BJT管 9V为发射极，8.3V为基极，4V为集电极 （6）10V，9.3V，0V
解：硅PNP型BJT管， 10V为发射极，9.3V为基极，0V为集电极 （7）5.6V，4.9V，12V；
解：硅NPN型BJT管，12V为集电极，5.6V为基极，4.9V为发射极， （8）13V，12.8V， 17V；
解：锗NPN型BJT管，17V为集电极，13V为基极，12.8V为发射极， （9）6.7V，6V，9V；
解：硅NPN型BJT管，9V为集电极，6.7V为基极，6V为发射极， 2. 判断三极管的工作状态和三极管的类型。
1管：VB??2V,VE??2.7V,VC?4V; 答：NPN管，工作在放大状态。 2管：VB?6V,VE?5.3V,VC?5.5V; 答：NPN管，工作在饱和状态。
3管：VB??1V,VE??0.3V,VC?7V;
答：NPN管，工作在截止状态。
3. 题图3.0.4所列三极管中哪些一定处在放大区？
2.3V 6V 9.3V 0V
2.3V 3V 5.7V 1.9V 3V 6V 5V 1.6V C A D B 题图3.0.4 答：题图3.0.4所列三极管中，只有图（D）所示的三极管处在放大区。
4. 放大电路故障时，用万用表测得各点电位如题图3.0.5，三极管可能发生的故障是什么？
答：题图3.0.5所示的三极管，B、E极之间短路，发射结可能烧穿。
题图3.0.5
5. 测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA，则该管的? 为①。
①为60。 ②为61。 ③0.98。 ④无法确定。 6. 只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应是 ②b极 。 ①e极 ②b极 ③c极
7. 共发射极接法的晶体管，工作在放大状态下，对直流而言其 ① 。
①输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性。 ②输入和输出均具近似的恒流特性。 ③输入和输出均具有近似的恒压特性。
④输入具有近似的恒流特性，而输出具有恒压特性。
8. 共发射极接法的晶体管，当基极与发射极间为开路、短路、接电阻R时的c，e间的击穿电压分别用V（BR）CEO ，V（BR）CES和V（BR）CER表示，则它们之间的大小关系是 ② 。
①V（BR）CEO＞V（BR）CES＞V（BR）CER。 ②V（BR）CES＞V（BR）CER ＞V（BR）CEO。 ③V（BR）CER＞V（BR）CES＞V（BR）CEO。 ④V（BR）CES＞V（BR）CEO＞V（BR）CER。 9．题图3.0.6所示电路中，用
直流电压表测出VCE≈0V，有 可能是因为 C或D 。
A Rb开路 B Rc 短路 C Rb 过小 D ?过大
题图3.0.6
10. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如题图3.0.7所示。试判断各三极管的工作状态。
(a)
(b)
题图 3.0.7
(c)
(d)
答：题图3.07所示的各个三极管的工作状态，图（a）为放大， 图（b）为放大 ，图（c）为饱和， 图（d）为C、E极间击穿。
11. 用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图3.0.8示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？
题图3.0.8
答：题图3.07所示的各个三极管的工作状态，图（a）为损坏， 图（b）为放大， 图（c）为放大， 图（d）为截止， 图（e）为损坏，图（f）为饱和（或B、C极间击穿）。 12. 放大电路如题 图3.0.9所示，对于射极电阻Re的变化是否会影响电压放大倍数Av和输入电阻Ri的问题，有三种不同看法，指出哪一种是正确的？