发布时间 : 星期三 文章multisim元器件参数详解更新完毕开始阅读
电阻模型参数
R 电阻倍率因子 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 电容模型参数
C 电容倍率因子 VC1 线性电压系数 VC2 二次电压系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 电感模型参数
L 电感倍率因子 IL1 线性电流系数 IL2 二次电流系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 二极管模型参数 IS 饱和电流 RS 寄生串联电阻 N 发射系数 TT 渡越时间
CJO 零偏压PN结电容 VJ PN结自建电势 M PN结剃度因子 EG 禁带宽度 XT1 IS的温度指数
FC 正偏耗尽层电容系数
BV 反向击穿电压（漆点电压） IBV 反向击穿电流（漆点电流） KF 闪烁躁声系数 AF 闪烁躁声指数 双极晶体管（三极管） IS 传输饱和电流 EG 禁带宽度
XTI（PT） IS的温度效应指数 BF 正向电流放大系数 NF 正向电流发射系数 VAF（VA） 正向欧拉电压 IKF （IK） 正向漆点电流 ISE（C2） B-E漏饱和电流 NE B-E漏饱和电流 BR 反向电流放大系数 NR 反向电流发射系数 VAR（VB） 正想欧拉电压
IKR 反向漆点电流
ISC C4 B-C 漏饱和电流 NC B-C漏发射系数 RB 零偏压基极电阻
IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流 RE 发射区串联电阻 RC 集电极电阻
CJE 零偏发射结PN结电容 VJE PE 发射结内建电势 MJE ME 集电结剃度因子 CJC 零偏衬底结PN结电容 VJC PC 集电结内建电势 MJC MC 集电结剃度因子 XCJC Cbe 接至内部Rb的内部 CJS CCS 零偏衬底结PN结电容 VJS PS 衬底结构PN结电容 MJS MS 衬底结剃度因子 FC 正偏势垒电容系数 TF 正向渡越时间
XTF TF随偏置变化的系数
VTF TF随VBC变化的电压参数 ITF 影响TF的大电流参数
PTF 在 F=1/（2派TF）Hz时超前相移 TR 反向渡越时间
XTB BF和BR的温度系数 KF I/F躁声系数 AF I/F躁声指数
Is=14.34f 反向饱和电流。 Xti=3 饱和电流的温度指数 Eg=1.11 硅的带隙能量 Vaf=74.03 正向欧拉电压 Bf=255.9 正向电流放大系数
Ne=1.307 B--E极间的泄漏饱和发射系数 + Ise=14.34f B--E极间的泄漏饱和电流 Ikf=.2847 正向BETA大电流时的滑动拐点 Xtb=1.5 电流放大系数的温度系数 Br=6.092 理想反向电流放大系数 Nc=2 B--C间的泄漏发射系数 Isc=0
Ikr=0 反向BETA（R）大电流时的滑动拐点 Rc=1 集电极电阻
+ Cjc=7.306p B-E结零偏压时的耗尽电容。 Mjc=.3416 B-C结指数因子 Vjc=.75 B-C结内建电势
Fc=.5 正向偏压时的耗尽电容系数 Cje=22.01p B-E结零偏压时的耗尽电容 Mje=.377 B——E结指数因子 Vje=.75 B-E结内建电势 + Tr=46.91n 反向渡越时间 Tf=411.1p 正向渡越时间
Itf=.6 正向渡越时间随VBE变化的参数 Vtf=1.7
Xtf=3 Rb=10) 正向渡越时间随偏置变化的参数
三极管参数中文字符号英文对照
Pcm 集电极最大耗散功率 Icm 集电极最大允许电流
V(br)cbo 发射极开路时，集电极与基极间反向击穿电压 V(br)ceo 基极开路时，集电极与发射极间反向击穿电压 V(br)ebo 集电极开路时，发射极与基极间反向击穿电压 Icbo 发射极开路时，集电极与基极间反向漏电流 Iceo 基极开路时，集电极与发射极间反向漏电流 Iebo 集电极开路时，发射极与基极间反向漏电流 Vce(sat) 基极与发射极间的正向饱和压降 Vbe(sat) 集电极与发射极间的反向饱和压降 hFE 共发射接法时静态电流放大系数（简称放大数） Ft 特征频率（共发射极电流放大系数下降到1时的频率） Cob 共基极输出电容 Nf 嗓声系数 Fa 共基极截止频率
Hre 共发射极交流输入开路时的电压反馈系数 Gp 共基极时功率增益 Kp 共发射极时功率增益 Vf 正向降压 Vr 反向降压 Typ 典型值 Max 最大值 Min 最小值 If 正向电流 Ir 反向电流 Toff 关闭时间
共发极交流输入开路时的输示