发布时间 : 星期二 文章2010年全国各省高考物理试题分类汇编《电场》更新完毕开始阅读
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由法拉第电磁感应定律得E1＝n
?BSt ⑨
由全电路的欧姆定律得E1＝I（R+2R） ⑩ U＝2RI
经过时间t，磁感应强度变化量的取值范围：0＜?B≤
3md(v0?2?gL)10nsqr2t。
（江苏卷）5.空间有一沿x轴对称分布的电场，其电场强度E随X变化的图像如图所示。下列说法正确的是 （A）O点的电势最低 （B）X2点的电势最高
（C）X1和- X1两点的电势相等 （D）X1和X3两点的电势相等
本题考查电场强度与电势的关系，考查图象。 本题难度：中等。
【解析】选C 可画出电场线，如下
沿电场线电势降落（最快），所以A点电势最高，A错误，B错误；
根据U?Ed，电场强度是变量，可用E?x图象面积表示，所以C正确； 两点电场强度大小相等，电势不相等，D错误，此项迷惑人。
（福建卷）20、（15分）如图所示的装置，左半部为速度选择器，右半部为匀强的偏转电场。一束同位素离子流从狭缝S1射入速度选择器，能够沿直线通过速度选择器并从狭缝S2射出的离子，又沿着与电场垂直的方向，立即进入场强大小为E的偏转电场，最后打在照相底片D上。已知同位素离子的电荷量为q(q＞0)，速度选择器内部存在着相互垂直的场强大小为E0的匀强电场和磁感应强度大小为B0的匀强磁场，照相底片D与狭缝S1、S2连线平行且距离为L，忽略重力的影响。
（1）求从狭缝S2射出的离子速度V0的大小； （2）若打在照相底片上的离子在偏转电场中沿速度
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?0方向飞行的距离为x，求出x与
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离子质量m之间的关系式(用解析：
E0、
B0、E、q、m、L表示)。
（1）能从速度选择器射出的离子满足：qE0?qB0v0 解得：v0?E0B0
（2）离子进入匀强偏转电场E后做类平抛运动，则
x?v0t L?12at 2由牛顿第二定律得 qE?ma E0B02mLqE解得x? （广东卷）21．图8是某一点电荷的电场线分布图，下列表述正确的是 A.a点的电势高于b点的电势 B.该点电荷带负电 C.a点和b点电场强度的方向相同 D.a点的电场强度大于b点的电场强度 答案：BD 解析：考察电场线的知识： A 以点电荷为圆心，同一圆周上，电势相等，以点电荷为圆心，a点为圆周一点做圆交
过b点的电场线为a′，则：由顺着电场线电势降低知：?a??a?，?b??a?因而：?b??a C D a点电场线比b点密因而：Ea>Eb a、b两点的电场线的方向不同。选BD。 （山东卷）20．某电场的电场线分布如图所示，以下说法正确的是
A．c点场强大于b点场强 B．a点电势高于b点电势
C．若将一试探电荷+q由a点释放，它将沿电场线运动b点
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D．若在d点再固定一点电荷-Q，将一试探电荷+q由a移至b的过程中，电势能减小 20．BD【解析】A.根据电场线疏密表示电场强度大小，c点场强小于b点场强，A错误； B.根据沿电场线方向电势降低（最快），a点电势高于b点电势，B正确；
C.若将一试电荷?q由a点释放，因受力方向沿电场方向（电场线切线），它不能沿电 场线运动到b点，C错误；
D.若在d点再固定一点电荷?Q，叠加后电势仍然a高于b，将一试探电荷?q由a移 至b的过程中，因电势降低，所以电势能减小，D正确； 本题选BD。本题考查电场、电场线、电势、电势能。 难度：容易。
（山东卷）25．（18分）如图所示，以两虚线为边界，中间存在平行纸面且与边界垂直 的水平电场，宽度为d，两侧为相同的匀强磁场，方向垂直纸面向里。一质量为m、带 电量+q、重力不计的带电粒子，以初速度v1垂直边界射入磁场做匀速圆周运动，后进入 电场做匀加速运动，然后第二次进入磁场中运动，此后粒子在电场和磁场中交替运动。 已知粒子第二次在磁场中运动的半径是第一次的二倍，第三次是第一次的三倍，以此类 推。求
?粒子第一次经过电场子的过程中电场力所做的功W1。 ?粒子第n次经过电场时电场强度的大小En。 ?粒子第n次经过电场子所用的时间tn。
?假设粒子在磁场中运动时，电场区域场强为零。请画出从粒子第一次射入磁场至第三 次离开电场的过程中，电场强度随时间变化的关系图线（不要求写出推导过程，不要求 标明坐标明坐标刻度值）。 解析： （1）根据r?12mvqB2，因为r2?2r1，所以v2?2v1，所以W1?12212mv2?212mv1,
2（2）Wn?mvn?mvn?1=
12m(nv1)?212m((n?1)v1)，Wn?Enqd，所以
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En?(2n?1)mv12qd2。
（3）vn?vn?1?antn，an?(4)
qEnm，所以tn?2d(2n?1)v1。
（北京卷）23.（18分）利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和 自动控制等领域。 如图1，将一金属或半导体薄片垂直至于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电 流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象称霍尔效应。其原因是薄片中的移动 电荷受洛伦兹力的作用相一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场ＥＨ，同时产生霍 尔电势差ＵＨ。当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时，ＥＨ和ＵＨ达到稳定值，Ｕ
Ｈ的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UH?RH称为霍尔系数，仅与材料性质有关。 IBd，其中比例系数Ｒ
Ｈ
（1）设半导体薄片的宽度（c、f间距）为l，请写出ＵＨ和ＥＨ的关系式；若半导体 材料是电子导电的，请判断图１中c、f哪端的电势高；
（2）已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为ｎ，电子的电荷量为ｅ，请导出霍 尔系数ＲＨ的表达式。（通过横截面积Ｓ的电流I?nevS，其中v是导电电子定向移动 的平均速率）；
（3）图2是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地 嵌装着ｍ个永磁体，相邻永磁体的极性相反。霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近。当圆
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