手机可靠性测试标准

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可靠性测试流程图 机械性能测试 特殊环境试验 机械寿命测试 按键寿命测试 涂装性能测试 环境测试 软压试验 吊饰孔拉拔 孔塞拉拔 拉拔力试验 手写笔嵌件 螺丝柱拉拔 微跌试验 沙尘试验 RCA耐磨测试 冷热冲击 扭曲试验 盐雾试验 翻盖寿命测试 铅笔硬度测试 天线耦合 紫外线耐候 滑(旋)盖寿命 百格试验 第一轮跌落 雨淋试验 耳机插拔试验 人工汗液试验 高温运行 高温储存 低温运行 低温储存 高温高湿 小球冲击 正弦振动 振动试验 随机振动 碰撞试验 *挤压试验 I/O口插拔试验 触摸屏点击划线测试 化妆品试验 滑轮寿命试验 SIM/T卡插拔试验 酒精擦拭试验 手写笔插拔 电池(盖)插拔试验 第二轮跌落 *弯折试验 拉杆天线寿命试验 天线耦合 SIMCOM LIMITED Page 5 of 26

1) 参数测试 (Parametric Test) 测试目的:确认待测手机的电性能指标 测试环境:-20°C,+25°C,+55°C 测试数量:18台

测试方法:将功能检查完毕的手机处于开机状态,放入温度实验箱内的架子上,持续1个小时之后(与

环境温度平衡),使用CMU200测试仪,参照附表1项目列表,对所有样品进行电性能指标测试。

测试标准:所有附表1中电性能指标正常,功能正常。 测试标准:手机电性能指标满足要求,功能正常,外壳无变形。

温度 +25°C -20oC +55oC

2) 温度冲击测试(Thermal shock) 测试目的:

验证手机结构和功能可靠性和试验后各项指标在冷热冲击后是否还能满足要求,确定元件、设备在周围大气温度急剧变化时的适应性,定量评估产品的可靠性。

测试设备:

KSON TC-C2C

机台序号 1-6 7-12 13-18 数量 6 6 6 持续时间 -- 1H 1H 参考法规:IEC 68 – 2 –14 Tests Na: Change of temperature 测试环境:低温:-30° C ;高温:+80° C 测试数量:18台 测试方法:

1) 将功能检查完毕的手机设置成关机状态放置于冷热冲击机中

2) 设置冷柜温度为-30° C,持续30分钟后;热柜温度为+80° C ,保持30分钟;(冷热转

换的时间≦15s);循环42Cycles;设置冲击柜从热柜开始冲击,结束也停止于热冲击柜。

3) 实验结束后将样机从温度冲击箱中取出,并恢复2小时后进行外观、机械和电性能检查。 测试标准:手机各项功能正常,外壳无异变。(主要检查见功能检查表)

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3) 跌落试验(Drop Test)

测试目的:模拟各环境状态中运送和使用中﹐产品受到撞击后﹐产品的功能是否能承受。

测试设备:北京慧聚跌落试验机

参考法规:IEC 68 – 2 –32 Tests Ed: Free fall YD-1215

测试条件:1.2m高度(触摸屏手机屏面积大于整体面积40%跌落高度可以适当降低到为1m~0.8m),大理石地板。 测试数量:18台 测试方法:

1) 产品在进行落下试验前须于两种温度环境条件下在温度柜中保持1小时﹐当产品从温

度柜中取出后﹐立即依试验条件高度1.2m自由落到指定地面(产品从温度柜中取出后必须在5min之内完成跌落)。

2) 进行6个面的自由跌落实验,每个面的跌落次数为1次,跌落2个循环,折叠式手机

在每个温度下分别取一半做开盖摔机,一半做合盖摔机。跌落之后进行外观、机械和电性能检查。

测试标准:手机各项功能正常,外壳无变形、破裂、掉漆,显示屏无破碎,内部元件无脱落。 跌落测试前后,要检查手机的射频性能以及天线的灵敏度。

4) 振动试验(Vibration test)

测试目的:仿真运输期间所受到振动或者冲击破坏﹐提早发现成品组装和零件之不良并确认PCB是

否有零件脱落或者损坏等现象。

测试设备:苏州D-150-2

参考法规:IEC 68 – 2 –34 Tests Fd: Random vibration 测试数量:18台

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环境条件 +55℃ -20℃ RQT手机序号 1,2,3,4,5,6,7,8,9 10,11,12,13,14,15,16,17,18 数量 6 6 落下地面 大理石地面 大理石地面 SC15-008B

测试方法:

--振动测试

方法:将手机开机固定在振动台上,X、Y、Z三个轴向分别振动1个小时之后,然后进行外观、

机械和电性能检查。

测试条件:振动频率:(1)5~20Hz;(2)20~500Hz;

振动加速度:(1) 0.96m 2 /s 3 ; (2) 0.96m 2 /s 3 –3dB倍频

测试条件:Random Vibration (1hr/axe)

振动频率:(1)10~12Hz;(2)12~150Hz;

振动加速度:(1) 1.92m 2 /s 3 –3dB倍频

--连续撞击测试(Continuous Shock Test )

将手机插入SIM卡、P-P T-Flash开机识别SIM卡,T卡播放音乐文件固定在振动台上,X、Y、Z三个轴,然后进行外观、机械和电性能检查。

测试条件:

加速度15g, 脉冲持续时间6 ms – 波形: ? 正弦波,3个方向各撞击500次

--冲击试验(Shock test)

将手机插入SIM卡,开机固定在振动台上,X、Y、Z三个轴,然后进行外观、机械

和电性能检查。

测试条件:

加速度30 g,脉冲持续时间 6 ms ;波形: ? 正弦波,3个方向各冲击3次

测试标准:手机各项功能正常,尤其是显示和Speaker的功能;外壳无严重损伤(如掉漆),内部

元件无脱落。在撞击以及冲击测试中,必须能正常的读取SIM卡;不能有任何功能以及结构上的缺失!

5) 高温高湿试验(Humidity test)

测试目的:模拟手机在高温高湿状况工作﹐各组件和零件电性能的承受力﹐提早发现不良而加以改

善。

测试设备: KSON THS-B

参考法规:IEC 68 – 2 –56 Tests Cb: Damp heat 测试环境:+65oC,95%RH 测试数量:9台

测试方法:将手机处于关机状态,放入恒温恒湿箱内(设置环境为65oC,95%RH)的架子上,持SIMCOM LIMITED Page 8 of 26

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