带隙基准电路设计

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图4.8 Banba结构的可工作电源电压范围

从左到右依次为100℃,70℃,40℃,10℃,-20℃,-50℃。可以发现温度越低,需要的电源电压越高。不同温度下,输出电压稳定性很高。

3.电路瞬态输出

电路采用了自启动电路的设计,可以使电路脱离简并状态,如图4.9。

图4.9 输出电压的瞬态曲线

输出电压随时间的波动性很小。

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4.PSRR

PSRR为电源抑制比,用于衡量输出电压对于电源噪声的抑制作用,帯隙基准电路的主要应用就是电压的准确性,肯定要比原来的电源电压更加精确,因此对电源的抑制比直接决定了带隙电路性能的好坏。

测量方法:在电源上加上交流电压大小1V,测量此时的输出电压,其值为电源抑制比。结果如图4.10。

图4.10 Banba电路的PSRR

从图4.10中可以得到

1-1Khz:PSRR=-40dB 10Khz:PSRR=-38dB 100Khz:PSRR=-23dB 1Mhz:PSRR=-5dB 电路在低频式具有很好的电源抑制比,但是高频时不是很理想。

5.工艺角仿真

本文对帯隙基准电路进行了四种工艺角仿真:tt,ss,fs,sf。测得的温度系数(PPM)值如表4.1。

表4.1 不同工艺角下仿真的PPM值

工艺角 tt ss 温度系数/ppm/℃ 3.508 14.59

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续表4.1

fs sf

4.489 1.698 五.总结

本文以Banba结构为基础,进行了适当的改进,提高了电路的PPM,使用TSMC35mm工艺,设计了一个帯隙基准电路。电路性能如表5.1。

表5.1 帯隙基准电路性能

电源电压 温度范围 功耗 输出电压 温度系数 PSRR

5V -50℃-100℃ 1.61mW 1.80V 3.508ppm/℃ -40dB 帯隙基准电路的整体结构比较简单,使用的结构也是常见的方式。设计的关键是调节电路参数,优化温度系数,尽量减小PPM。另外放大器和启动电路的设计也是整个电路的关键部分,自启动电路电路是以前未曾接触过的内容。

存在问题:

1).电路的电源抑制比PSRR不是很大,只有-40dB。根据参考文献中的分析,可以达到-100dB。但是通过扫描电路参数,始终无法得到更大的电源抑制比。经过分析,可能的原因是放大器的性能限制了电源抑制比,因为设计开始时对放大器的性能考虑不够多。

2).本文采用的Banba结构仍然属于一阶帯隙基准电路,虽然PPM已经达到性能要求,但是现在已经有二阶温度补偿帯隙基准电路结构,原理是引入一股与温度成平方关系的电流,既补偿了低温阶段的基准电压,又补偿了高温阶段的基准电压,大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性。二阶温度补偿帯隙基准电路可以很好的控制基准电压的温度系数,增大电源抑制比,由于时间限制没有进行设计。

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3).电路的输出电压随着电源电压的上升比较缓慢,这个从图4.8中就可以看出来,没有达到理想的快速上升。

参考文献

[1] 拉扎维,贵灿,瑞智等.模拟CMOS集成电路设计: Design of analog CMOS integrated circuits[M]. 西安交通大学出版社, 2003.

[2] 吴夏妮 帯隙基准电路的研究[D]:[本科学位论文] 上海:复旦大学信息学院微电子系,2010

[3] 来新泉, 郝琦, 袁冰, 等. 一种二阶曲率补偿的高精度带隙基准电压源[J]. 西安电子科技大学学报, 2010, 37(5): 911-915.

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