模拟电子技术之习题答案

发布时间 : 星期五 文章模拟电子技术之习题答案更新完毕开始阅读

第三章 集成运算放大电路 17

〖题3.1〗 (1)集成工艺不易制作大容量电容 (2)减小温漂 (3)共射放大电路(4)克服温漂 (5)差,平均值 (6)抑制共模信号能力增强 (7)带负载能力强 (8)恒定,小,大

〖题 3.2〗OCL功率放大电路如图T3.2所示,其中T1的偏置电路未画出。若输入为正弦电压,互补管T2、T3的饱和管压降可以忽略,试选择正确答案填空。

(1)T2 和T3的工作方式为(甲乙类)。 (2)理想情况下,电路的最大输出功率为

VCC2RL2+VCCR1T2D1。

+ui-D2T1ET3RL+uO-(3)电路中R1的作是充当T1的集电极负载,D1和D2的作用是消除交越失真。

〖题3.3〗已知一个集成运放的开环差模增益Aod为100dB,最大输出电压峰-峰值Uopp??14V,分别计算差

Re-VCC图T3.2模输入电压uI(即uP?uN)为10μV、100μV、1mV、1V和-10μV、-100μV、-1mV、-1V时的输出电压uO。 解:uI为10μV、100μV、1mV、1V和-10μV、-100μV、-1mV、-1V时,

uO分别为1V、10V、14V、14V、-1V、-10V、-14V、-14V。

〖题3.4〗图T3.4所示电路参数理想对称,?1??2??,rbe1?rbe2?rbe。 (1)写出RW的滑动端在中点时Ad的表达式;

(2)写出RW的滑动端在最右端时Ad的表达式,比较两个结果有什么不同。 解:(1)Ad???(Rc?rbeRW2RW2)+VCC

Rc+RWuO-T2Rc (2) Ad???(Rc?rbe),比较结果可知,两种

+uI-T1情况下的Ad完全相等;但第二种情况下的

?uC1 > ?uC2。

Re-VEE图T3.4

第三章 集成运算放大电路 18

〖题3.5〗图T3.5所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50, rbb?=100Ω,UBEQ?0.7。试计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ,以及动态参数Ad和Ri。

+VCC+VCC(+12V)Rc10k?+uI-T1Rc10k?T2100?Re5.1k?+uORW-R1uI1Rbc+uO-T1RT2b2uI2Re

Rc1uI1Rb-VEE图T3.6

RbT22uI2-VEE(-6V)图T3.5+VCC+uO-T1Re

-VEE图T3.6

〖题3.6〗图T3.6是一个单端输出的差分放大电路,试指出1、2两端中哪个是同相输入端,哪个是反相输入端,并求出该电路的共模抑制比。设VCC?12V,VEE?6V,

Rb?10k?,Rc?6.2k?,Re?5.1k?,三极管的?1??2???50, rbb?=300Ω,UBE1?UBE2?0.7V。

+VCC解:1为反相端、2为同相端,

RcKCMR?AdAc?βReRb?rbe?20

1uI1RbT1+uO-T2Rb2uI2〖题3.7〗电路如图T3.7所示,T1管和T2管的β均为40,rbe均为3k?。试问:若输入直流信号uI1?20mV,

uI2?10mV,则电路的共模输入电压uIc=?差模输入电压uId=?输出动态电压?uO=?(R?10K?)

+VCC(+15V)Re-VEE图T3.6+VCCRc+uO-T1T2解:

R20k?Rb100?RL10k?T1+uO-T2+u-

+uI1Rb100?R10k?-VEE(-6V)图T3.8-uI2+V(+15V)R20k?R100?R10k?T+u

+uTR100?R10k?-(-6V)

-VEE图T3.7?uO?AduId??0.67〖题3.8〗电路如图T3.8所示,晶体管的??50,

rbb?=100Ω。

Rc20k?Rb100?RL10k?T1+VCC(+15V)+uO-T2(1)计算静态时T1管和T2管的集电极电流和集电极电位;

(2)用直流表测得uO?2V,uI=?若

uI?10mV,则uO=?

+uI-Rb100?Re10k?-VEE(-6V)图T3.8

第三章 集成运算放大电路 19

解:(1)ICQ1?ICQ2?0.265mA,UCQ1?3.23V,UCQ2?VCC?15V (2)uI??uOAd?37.6mV,uO?UCQ1??uO?2.9V

+VDD(+15V)〖题3.9〗场效应管具有输入阻抗(达1M?以上)的特点。图T3.9是高输入阻抗型场效应管差动放大电路,作为高阻型集成运放的输入级。已知gm?2mS,RL?10k?,求:(1)差模电压增益Aod,共模电压增益Aoc以及共模抑制比;(2)当uS?10mV时,输出电压uO=? 解:(1)Aod?5,Aoc??0.125,KCMR?32dB;

(2)uO?49.38mV。

+uS-Rd10k?T1RL10k?+uO-Rd10k?T2Rs10k?-VSS(-15V)图T3.9〖题3.10〗在题3.9中,若Rs由20k?改为200k?,其他参数保持不变,单端输出时的共模抑制比将为多少?

解:KCMR?52dB。

〖题3.11〗电路如图T3.11所示,已知:晶体管T1的ICEO1?1.2μA,?1?60,

UBE1?0.7V;T2的ICBO2?15μA,?2?40,UBE2?0.7V;R?1k?,VCC?12V。试求:

+VCCRIC(1)开关S1、S2均置于位置“1”时的IC; (2)开关S1、S2均置于位置“2”时的IC。 解:(1)IC?0.62 mA

1S121S22T1T2 (2)IC?3.61 mA

〖题3.12〗试判断图T3.12所示各种复合管的连接是电极。

解:

(a)正确,NPN型管,

1端为c极、2端为b极、3端

为e极;

(b)错误 ; (c)错误 ; (d)正确,增强型N沟道

2T12T23(e)(f)3(g)2T1图T3.11否正确。如正确,指出它们各自等效于什么类型的管子,管脚1、2、3分别对应于什么

1T22T12T2111T1T22T1T23(d)13(a)1(b)3(c)13T1T22T1T3T23图T3.12

第三章 集成运算放大电路 20

MOS管,1端为d极、2端为g极、3端为s极;(e)错误;(f)错误(g)正确,NPN型管,1端为e极、2端为b极、3端为c极。

〖题3.13〗工作在乙类的OCL电路如图T3.13所示,已知VCC?12V,RL?8?,ui为正弦电压,求在VCES?0的时候,电路的最大输出功率Pom、效率?和管耗PT。

解:Pom?VCC2+VCCiC1T1+uo-ui2RL?9W,??78.5%,PT ?2.46W。

iC2iLT2RL〖题3.14〗某电路如图T3.14所示,试分析: (1)若R1、D1、D2、三个元件中有一个出现开路,会出现什么问题?

-VCC图T3.13(2)VCC?15V,VCES?2V,RL?8?时,最大不失真输出功率Pomax为多大?

+VCCRW+ui-T1R1D1D2T2R2ERL+uO-OuO(V)t-VCC图 T3.14

解:(1)导致IB1、IB2过大;T1、T2工作电流很大,会使T1、T2管烧坏 (2)Pomax?10.6W

〖题3.15〗在图T3.15所示电路中,已知VCC?16V,RL?4?,T1和T2管的饱和管压降|UCES|?2V,输入电压足够大。试问:

(1)最大输出功率Pom和效率η各为多少? (2)晶体管的最大功耗PTmax为多少?

(3)为了使输出功率达到Pom,输入电压的有效值约为多少?

解:(1) Pom?(VCC?UCES)2RL2+VCCR1T1D1uI+D2T2R2RLuO--V C C?24.5W, 图T3.15

联系合同范文客服:xxxxx#qq.com(#替换为@)