发布时间 : 星期三 文章半导体-硅片生产工艺流程及工艺注意要点 - 图文更新完毕开始阅读
图3.9背封时的边缘覆盖及其最小限度
在图3.9(a)中，可以看到背封延伸覆盖住了硅片正面，接近它的外延层趋向于无定形。这会减小有效硅片面积，因为器件不能建立在无定形硅上。
避免这个问题的一种方法是背封后，进行硅片边缘抛光，这样边缘就不再有无定形材料。如图3.9（b）所示。另一个方法是在进行背封时，用一面具罩在硅片边缘，避免边缘被沉积材料所覆盖。图3.9(c)显示了这个方法。面具就象衣领一样饶在硅片边缘。第三种方法这里没有显示，就是在硅片上生长氧化层以完全覆盖硅片。而后，正面的氧化层可通过上面流下的HF淋洗来去除。第四种方法也没有显示，硅片边缘与滚轴接触并使用HF溶剂，将SiO2从边缘处溶解下。 多晶
在背面沉积多晶防止自动掺杂和捕获硅片体内的重金属。在高温下，一些多晶硅会被氧化，但不会降低它的吸杂能力。
氢化硅（SiH4）源通常用来作为多晶。高温下，硅土热分解反应如下： SiH4 → Si + 2H2
在低压CVD（LPCVD）中，可在650℃左右沉积。这个温度在无定形和单晶硅沉积之间。 表面再结晶的过程通过一些过程如离子注入来补偿。基体通常在惰性气体或氢气的氛围下加热，热量的提供有利于驱逐（基体和注入物）原子移动占据有序晶格点。一旦退火后，掺杂剂就表现出电活跃性。
通过在高温下的扩散过程，实现硅片表面层氧的耗尽。 练习：
3-1．磨片过程的主要目的是---（ ） a. 在硅片的两侧增加一均匀的损伤层； b. 使硅片表面平整； c. 去除硅片的微损伤；
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d. 高度抛光的硅片。
3-2．双面行星式磨片机---（ ） a. 使用极其平整的磨盘和一种研磨砂； b. 使用贴有研磨砂的磨轮； c. 提供了一个极其清洁的磨片操作； d. 在磨片时，保持硅片在固定位置。
3-3．双面行星式磨片机能清除硅---（a. 使用化学品溶解硅表面层； b. 是一个化学/机械混合过程； c. 使用研磨颗粒磨损表面； d. 一次只能研磨一面。
3-4．酸腐蚀的主要好处是---（ ） a. 自限制，易控制； b. 提供无腐蚀坑的光滑表面； c. 提供平整表面； d. 不会释放气体。
3-5．碱腐蚀的主要好处是---（ ） a. 会使硅片呈“枕头”形； b. 不同批次的去除率不同； c. 是一种优先腐蚀； d. 提供无腐蚀坑的光滑表面。
3-6．以下为外吸杂工艺的是---（ ）a. 背损伤和氧沉积； b. 背面的多晶沉积和背损伤；
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