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D、表面吸收 E、串联电阻
48、发展太阳光发电系统重要的几方面，包括下列哪几项（ ABC ）。 A、原材料价格的降低 B、通过商品开发扩大市场 C、可靠性和认证制度 D、低消耗、高效率
49、下列哪几项是楼房建材一体型太阳光发电系统模板形式（ ABD ）。 A、标准型 B、屋顶材料一体型 C、天窗型 D、强化玻璃合成型
50、新阳光计划中的太阳能电池制造技术研究开发包括（ ABD ）。 A、结晶系太阳能电池 B、薄膜太阳能电池 C、新型a-si太阳能电池 D、超高效率太阳电池 二、判断题
1、从硅原子中差别出一个电子须要的能量1.33eV。（ 3 ） 2、硅带法不是单晶硅的制备形式。（ √ ）
3、评价太阳能电池职能的优劣的参数是填充因子。（√ ）
4、制备薄膜电池常用PECVD法，光伏发电德州新博它指的是等离子化学气
相堆积法。（ √ ）
5、太阳能具有可再生和环保等方面的特点。（ √ ） 6、目前国际上太阳电池中以化合物材料电池为主。 （ 3 ） 7、太阳电池是利用半导体光生伏打效应的半导体器件。（ √ ） 8、目前单晶硅太阳电池的实验室最高效率为24.7%。 （ √ ）
9、下列表征太阳电池的参数中，短路电流不属于太阳电池电学性能的主要
参数。（ 3 ）
10、某单片太阳电池测得其填充因子为77.3%，其开路电压为0.62V，短路
电流为5.2其测试输入功率为15.625W,则此太阳电池的光电转换效率为16.07% 。（ √ ）
11、地热能不是绿色能源。 ( √ )
12、晶体硅太阳电池种类有单晶硅和多晶硅 。（ √ ） 13、CZ法是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，
使结晶生长，量后得到长棒形状的单晶硅铸模。（ √ ） 14、基片的技术最引人注目的是基片的薄形成化技术，目前可达到300—400
微米左右。（ 3 ）
15、太阳能电池级的?c-Si是由包含非晶50nm的微晶群体、具有110优先
配位的宏观“有效微晶介质”层组成的，薄膜的电学及光电特性的概况由此决定。（ √ ）
16、非热平衡过程中，薄膜微晶硅太阳能电池的制造温度是零下，因此对
基片材料 没有限制，各种材料均可以使用。 （ 3 ） 17、SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制晶体生长速度。
（ √ ）
18、吸附在晶体中心处的原子不是晶体表面原子所受的作用力。（ √ ） 19、在衡量太阳电池输出特性参数中，表征最大输出功率与太阳电池短路
电流和开路电压乘积比值的是填充因子。（ √ ）
20、蓄电池的容量就是蓄电池的蓄电能力，标志符号为C，通常用瓦特来表
征蓄电池容量。（ 3 ）
21、光伏系统器件中，能实现DC-AC（直流-交流）转换的器件是控制器。
（ 3 ）
22、太阳能光伏发电系统的装机容量通常以太阳电池组件的输出功率为单位，如果装机容量1GW，其相当于109W。（ √ ）
23、一个独立光伏系统，已知系统电压48V，蓄电池的标称电压为12V，那
么需串联4个的蓄电池。（ √ ）
24、在太阳能光伏发电系统中，最常使用的储能元件是碱性蓄电池。（ 3 ） 25、标准设计的蓄电池工作电压为12V，则固定型铅酸蓄电池充满断开电压
为14.8～15.0V，其恢复连接电压值是13.7V。（ √ ）
26、某无人值守彩色电视差转站所用太阳能电源，其电压为24V，每天发射
时间为15h,功耗20W；其余9小时为接收等候时间，功耗为5W，则负载每天耗电量为14.4Ah。（ √ ）
27、HIT太阳能电池是由单晶硅和非晶硅进行叠层得到的新型太阳能电池。
（ √ ）
28、太阳能电池模板的种类有起直线型、玻璃包装开型和框架型。（ 3 ） 29、基片的技术最引人注目的是基片的薄形成化技术，目前可达到200—300
微米左右。（ √ ）
30、晶界产生的电子能级，在不激发下生成载流子，不仅使短路电流密度
减小，而且为了收集载流子将pn结在粒界横断时，介于能级之间。（ √ ）
31、太阳能电池主要构成元素都包括表面保护材料、填充材料、背面保护
材料、框架。（√）
32、高效率太阳能电池有PERL和CIGS两种结构的。（ 3 ）
33、a-Si作为四面体结合的非晶体，是由于过剩束缚结构构成的，为了缓
和坚固的电路内部应力，易引发不可见炮能带等的结构缺陷。（ √ ） 34、a-Si中含有10%--20%的氢，可以直接不可见光能带进行补偿，或者通
过对平均配位数的降低，起到促进结构缓和的作用，减轻缺陷密度，为改善电气性能做出较大的贡献。( √ )。
35、在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用平光镜 聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。（ 3 ） 36、典型的实用化模板的性能标称开路电压是28.9V。（ √ ）
37、日前太阳能电池的主流是单晶以及非晶硅 ，占世界太阳以电池总产量
的70%以上。( 3 )
38、由低缺陷密度化，得到优良的光电特性，以此为基础太阳能电池的应
用才能成为可能。（ √ ）
39、根据自身的等离子体效果，使用的高频率电源几乎全部在阴极附近被
消耗，因此在这个范围内，激以及分解反应活跃，薄膜形成比例也在高频率电源使用一侧最大。（ √ ）
40、非晶薄膜就会形成Si的结晶微粒，尺寸为直径为数nm---数十nm，这
样的材料叫做微晶硅。（ √ ）
41、非晶半导体材料，是失去了像结晶型那样的长距离晶格结构后的材料，