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第六章 半导体存储器
习题与答案
1、半导体存储器可分为哪几个类型？试分别说明它们各自的特点。 解：从存取方式来分，有读写存储器RAM和只读存储器ROM。
RAM也称为随机存取存储器，CPU在执行程序的过程中能对它进行读出和写入操作。在RAM中可分为双极型（Bipolar）和MOS型RAM两大类。双极型RAM具有很高的存取速度，但是双极型RAM的集成度低，单片容量小，功耗大，成本高。MOS型RAM具有功耗低、集成度高、单片容量大的特点，但存取速度则较慢。MOS型RAM又可以分为静态RAM和动态RAM两种。 ROM器件的功能是只许读出，不许写入，一旦有了信息，就不能轻易改变，也不会在掉电时丢失，所以它只能用在不需要经常对信息进行修改和写入的地方。ROM可以分为4种：掩膜ROM、可编程ROM、可擦除、可编程ROM和可电擦除的、可编程ROM等。
2、列出半导体存储器的主要性能指标。
解：半导体存储器的性能指标有：存储芯片容量、存取速度、可靠性、价格、易失性、集成度、功耗和电源种类等。
3、试比较SRAM和DRAM的优缺点。
解：SRAM用由6管构成的触发器作为基本电路，不需要刷新电路，而且易于用电池作后备电源。DRAM是利用电容的记忆功能保存信息，由于电容存在漏电电流，即使电源不掉电，电荷会随着电容放电而泄露，从而导致信息丢失，所以需要刷新。
与SRAM相比，DRAM的主要优点是集成度高、功耗小、价格低。而不足之处是与CPU的接口电路比较复杂，有两个问题要解决：一个是上面所讲的刷新问题，另一个是地址信号的输入问题。DRAM一般用于组成大容量的内存系统。
4、若某微机系统的系统RAM存储器由四个模块组成，每个模块的容量为128K字节，若四个模块的地址是连续的，最低地址为00000H，试指出每个模块的首末地址。
解：第一个模块：00000H～1FFFFH；
第二个模块：20000H～3FFFFH； 第三个模块：40000H～5FFFFH； 第四个模块：60000H～7FFFFH。
5、对于下列芯片，它们的片内地址线各有多少根？若分别用以下芯片组成容量为64K字节的模块，试指出分别需要多少芯片？ （1）Intel 2114（1K×4位）； （2）Intel 6116（2K×8位）； （3）Intel 2164（64K×1位）； （4）Intel 3148（4K×8位）。
解：（1）片内地址线10根。需要128片。 （2）片内地址线11根。需要32片。 （3）片内地址线16根。需要8片。 （4）片内地址线12根。需要16片。
6、试比较存储器读周期和写周期的差别。
解：存储器的读周期和写周期的主要差别在于数据出现在数据总线上的时间不同和总线上数据的来源不同。对于存储器的读周期，是在地址线和选通控制线稳定后，被读出的数据才出现在数据总线上，数据来自于存储器；而对于存储器的写周期，则是往存储器内写入新的信息，故在所有选通控制信号出现之前，数据线上应有待写的稳定数据，数据来自于CPU。
7、某RAM芯片，容量为4K′4位，该芯片有数据线、地址线、片选信号线 和读写控制线 。请问： RAM#1 RAM#2