发布时间 : 星期二 文章STM32单片机硬件关键基础精华及注意事项 - 图文更新完毕开始阅读
尽管所有VDD和所有VSS在内部相连，在芯片外部仍然需要连接上所有的VDD和VSS。因为导线较细，内部连接负载能力较差，抗
干扰的能力也较差，如果漏接VDD或VSS，容易造成内部线路损坏，同时抗干扰能力下降。
VDD与VSS的去藕电容
每对VDD与VSS都必须在尽可能靠近芯片处分别放置一个10nF~100nF的高频瓷介电容。在靠近VDD3和VSS3的地方放置一个
4.7μF~10μF的钽电容或瓷介电容。
VDD与VDDA的关系
VDDA为所有的模拟电路部分供电，包括：
ADC模块，复位电路，PVD（可编程电压监测器），PLL，上电复位（POR）和掉电复位（PDR）模块，控制VBAT切换的开关等。
即使不 使用ADC功能，也需要连接VDDA，强烈建议VDD和VDDA使用同一个电源供电。VDD与VDDA之间的电压差不能超过300mV，VDD与VDDA 应该同时上电或调电。
供电方案
如何达到最优功耗水准 低功耗模式
I/O引脚的处理
1、如果需要减小I/O端口的电流消耗，可以根据具体情况配置I/O端口的状态：
输入端口????配置为浮空输入，带外部上拉的输出端口????配置为推挽输出并输出’1’，，带外部下拉的输出端口????配置为推挽输出并
输出’0’。
2、未用的内部外设：
保持为关闭和默认的复位状态：
不要进行重映射，复位寄存器RCC_APB1RSTR和RCC_APB2RSTR。关闭对应的时钟，时钟使能寄存器：RCC_AHBENR、
RCC_APB2ENR和RCC_APB1ENR。
进入SLEEP模式的省电操作
1、为了降低系统功耗，进入SLEEP模式时，执行如下操作流程：
关闭无需等待中断或事件的外设时钟；设置进入机制（Sleep-Now或Sleep-on-Exit）；设置系统进入SLEEP模式。 2、退出睡眠模式的方式：
WFI（等待中断），可由任一外设中断触发，WFE（等待事件），可由任一外设事件触发。 进入STOP省电模式的操作
为了降低系统功耗，进入STOP模式的操作流程： 关闭设置为普通IO功能的GPIO口时钟；
关闭已开启时钟的外设的使能位（尤其是ADC、DAC、USB等带模拟模块的外设）；
关闭已开启时钟的外设的时钟；
关闭预取缓冲区，并将Flash等待周期置为0； 设置PWR_CR中LPDS位选择电压调节器的模式： 正常模式：电压调节器处于正常供电状态； 低功耗模式：可降低电压调节器自身的功耗， 将MCU从STOP模式唤醒的时间有所增加； 设置系统进入STOP模式。 退出STOP省电模式的操作 1、退出停止模式：
以WFI进入时：任意外部中断线的中断； 以WFE进入时：任意外部中断线的事件； 不包括PVD和USB唤醒事件。
2、从STOP模式恢复后，时钟的配置返回到复位时的状态（系统时钟为HSI），用户程序必须重新配置整个时钟系统，包括PLL。 如何获得高精度的RTC
STM32使用Pierce振荡器，原理图及重要参数如下：
三个步骤选择一个合适的LSE
第一步：增益裕量（Gainmargin）计算
选择一个晶振（参考MCU的数据手册确定晶振的频率） 计算晶振的增益裕量（Gainmargin）并检查其是否大于5：
如果Gainmargin《 5，说明这不是一个合适的晶振，应当再挑选一个低ESR值和低CL值的晶振，重新第一步。如果Gainmargin》
5，进行第二步。