金属学与热处理课后习题答案(崔忠圻版)-7-10章 联系客服

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畸变的新的等轴晶粒, 位错密度显著下降, 性能发生显著变化恢复到冷变形前的水平,称为(一次)再结晶。它的实质是新的晶粒形核、长大的过程。

二次再结晶: 经过剧烈冷变形的某些金属材料, 在较高温度下退火时, 会出现反常的晶粒长大现象, 即少数晶粒具有特别大的长大能力, 逐步吞食掉周围的小晶粒,其最终尺寸超过原始晶粒的几十倍或上百倍, 比临界变形后的再结晶晶粒还要粗大得多, 这个过程称为二次再结晶。 二次再结晶并不是晶粒重新形核和长大的过程,它是以一次再结晶后的某些特殊晶粒作为基础而异常长大, 严格来说它是特殊条件下的晶粒长大过程,并非是再结晶过程。

本质区别:是否有新的形核晶粒。

2、 再结晶时晶核长大和再结晶后的晶粒长大。

定义

再结晶晶核长大: 是指再结晶晶核形成后长大至再结晶初始晶粒的过程。 其长大驱动力是新晶粒与周围变形基体的畸变能差,促使晶核界面向畸变区域推

进,界面移动的方向, 也就是晶粒长大的方向总是远离界面曲率中心, 直至所有畸变晶粒被新的无畸变晶粒代替。

再结晶后的晶粒长大: 是指再结晶晶核长大成再结晶初始晶粒后, 当温度继续升高或延长保温时间, 晶粒仍然继续长大的过程。 此时,晶粒长大的驱动力是晶粒长大前后总的界面能的差, 界面移动的方向, 也就是晶粒长大的方向都朝向晶界的曲率中心,直至晶界变成平面状,达到界面能最低的稳定状态。

本质区别:

1、长大驱动力不同

2、长大方向不同,即晶界的移动方向不同。

7-5 分析回复和再结晶阶段空位与位错的变化及其对性能的影响。

答:

回复阶段:

回复:是指冷塑性变形的金属在加热时, 在光学显微组织发生改变前 (即再结晶晶粒形成前)所产生的某些亚结构和性能的变化过程。

空位和位错的变化及对性能的影响:

回复过程中,空位和位错发生运动,从而改变了他

们的数量和组态。

低温回复时,主要涉及空位的运动。 空位可以移至表面、 晶界或位错处消失,也可以聚集形成空位对、 空位群,还可以与间隙原子相互作用而消失, 总之空位运动的结果使空位密度大大减小。 电阻率对空位密度比较敏感, 因此其数值会有显著下降。而力学性能对空位的变化不敏感,没有变化。

中温回复时,主要涉及位错的运动。 由于位错滑移会导致同一滑移面上异号位错合并而相互抵消, 位错密度略有下降, 但降低幅度不大,力学性能变化不大。

高温回复时,主要涉及位错的运动。位错不但可以滑移、而且可以攀移,发生

多边化,使错密度有所降低, 降低系统部分内应力, 从而使硬度、强度略有下降,塑性、韧性得到改善。