发布时间 : 星期一 文章第三章 - CMOS反相器介绍及设计 - 图文更新完毕开始阅读
V0?V0+Vtp≤Vi≤V0+Vtn时：n饱和p饱和由In=-Ip得：
Vi?Vdda----bb----cc----dd----ee----f?nVtn??p?Vdd?Vtp??n??pVthViV0与Vi无关，如图c——d段。?V0+Vtn V0?Vi?Vtn??Vi?Vtn?2如图d——e段。 ?p??n?Vi?Vtp?Vdd?2?Vdd+Vtp V0V0=0 如图e——f段。 Vdda----bb----cc----dd----ee----fViVthDepartment of Microelectronics, PKU，Xiaoyan Liu ?CMOS反相器有以下优点：（1）传输特性理想，过渡区比较陡 （2）逻辑摆幅大：VOH=VDD, VOL=0 （3）一般VM位于电源Vdd的中点，即VM=VDD/2，因此噪声容限很大。 （4）只要在状态转换为b——e段时两管才同时导通，才有电流通过，因此功耗很小。（5）CMOS反相器是利用p、n管交替通、断来获取输出高、低电压的，而不象单管那样为保证VoL足够低而确定p、n管的尺寸，因此CMOS反相器是无比(Ratio-Less)电路。 二、CMOS反相器的动态特性 假设 把与输出节点相连的所有寄生电容等价为一个负载电容 Department of Microelectronics, PKU，Xiaoyan Liu