发布时间 : 星期四 文章模电1-3章2011课后习题更新完毕开始阅读
12．N沟道JFET的跨导gm是（ C ）。
A、一个固定值 B、随电源电压VDD增加而加大
C、随静态栅源电压VGS增加而加大 D、随静态栅源电压VGS增加而减小 13．某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（ ）。 A、P沟道增强型MOSFET B、P沟道JFET
C、N沟道增强型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFET
14．已知某FET的输出特性如图所示，试判别它是（ D ）。 A、P沟道增强型MOSFET B、N沟道JFET
C、P沟道耗尽型MOSFET D、N沟道耗尽型MOSFET
15．硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（ B ）。
A、0.6V；0.6V B、0.6V；0.1V C、0.1V；0.6V D、0.1V；0.1V
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16．在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（ A ）。 A、温度 B、掺杂元素 C、掺杂浓度 D、掺杂工艺 17．N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ D ）。 A、自由电子 B、空穴 C、硼元素 D、磷元素
18.用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（ D ）。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、倒置状态
19.电路如图所示，若更换晶体管，使β由50变为100，则电路的电压放大倍数（ C ）。
A、约为原来的一半 B、基本不变 C、约为原来的2倍 D、约为原来的4倍
20. 当下图所示电路输入1kHZ、5mV的正弦波电压时，输出电压波形的底部出现了被削平的失真，为了削除这种失真，应（ B ）。 A、增大集电极电阻RC B、改换β大的晶体管 C、减小基极偏置电阻RB D、增大基极偏置电阻RB
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21.温度上升时，半导体三极管的（ A ）。
A、β和ICBO增大，uBE减小 B、β和uBE增大，ICBO减小 C、uBE和ICBO增大，β减小 D、β、uBE和ICBO均增大
22.在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是（ D ）。
A、共集电极放大电路 B、共基极放大电路 C、共漏极放大电路 D、共射极放大电路
23.在下图所示的固定偏流式放大电路中，当Rc、Rb的参数分别是（ C ）时，该电路的静态工作点处在放大区。设三极管的β=100。 A．5.6kΩ、10 kΩ B. 5.6kΩ、510 Ω C．5.6kΩ、1MΩ D. 100kΩ、1MΩ
1.2.3.4.5.6.7.8题的图
24.已知下图所示放大电路中的Rb=100kΩ，Rc=1.5 kΩ，三极管的β=80，在静态时，该三极管处于（ b ）。 A．放大状态 B. 饱和状态 C．截止状态 D. 状态不定
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25.在下图所示放大电路中，集电极电阻Rc的作用是（c）。 A．放大电流 B. 调节IBQ
C．防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压 D. 调节ICQ 26.对于下图所示的放大电路，当用直流电压表测得UCE≈VCC时，有可能是因为（a）；当测得UCE≈0时，有可能是因为（d）。 A．Rb开路 B. RＬ短路 C．Rc开路 D. Rb过小
27．对于图示放大电路，若VCC＝12V，Rc＝2kΩ，集电极电流IC计算值为1mA,今用直流电压表测得UCE＝8V，这说明（d）。 A．工作正常 B. 三极管c-e极间开路 C．三极管b-e极间短路 D. 电容C2短路
28.对于图示电路，若仅当Rb增加时，UCEQ将（a）；仅当Rc减小时，UCEQ将（a）；仅当RL增加时，UCEQ将（c）；仅当β减小（换三极管）时，UCEQ将（a）。 A．增大 B. 减小 C．不变 D. 不定
29.在图示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个β比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是（b）；若该电路原来发生了非线性失真，但在减小Rb后，失真消失了，这失真必是（a）。 A．截止失真 B. 饱和失真 C．双重失真 D. 交越失真
30.对于图示固定偏流电路，当室温升高时，其三极管IBQ（a），ICQ（a），UCEQ（b）。 A．增大 B. 减小
C．不变（或基本不变） D. 不定
31.在图示射极偏置电路中，若上偏流电阻Rb1短路，则该电路中的三极管处于（b）。
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