发布时间 : 星期六 文章改吴友宇主编《模拟电子技术基础》课后习题答案更新完毕开始阅读
甲：当Re增大时，负反馈增强，因此Av?、Ri?。（ ） 乙：当Re增大时，静态电流IC减小，因此Av?、Ri?。（ ）
丙：因电容Ce，对交流有旁路作用，所以Re的变化对交流量不会有丝毫影响，因此，当Re增大时，Av和Ri均无变化。
题图3.0.9
解：本题意在我们要搞清Re，在分压式电流负反馈偏置电路中的作用，从表面看，Re被Ce交流旁路了，对交流量无影响（即不产生交流负反馈），所以Re的变化不影响Au和Ri，这是本题容易使我们产生错觉的地方。但我们还必须进一步考虑，尽管Re不产生交流负反馈，但它对放大器的静态工作点的影响是很大的，既然影响到ICQ，就影响到rbe进而影响Au和Ri。
甲的说法是错误的，原因：因Ce的旁路作用，所以Re不产生交流负反馈，所以甲的观点前提就是错的。
乙的说法是正确的。原因：Re??ICQ(IEQ)??rbe??Au?;
?rbe?,Ri?Rb//rbe,?Ri?
丙的说法是错误的，原因：正如解题分析中所说，尽管Re不产生负反馈，但Re增大使
IEQ减小，IEQ的减小必然引起Au减小和Ri的增加。
主观检测题
3.1.1 把一个晶体管接到电路中进行测量，当测量IB?6?A时，则IC?0.4mA，当测得
IB?18?A时，IC?1.12mA，问这个晶体管的?值是多少？ICBO和ICEO各是多少？
解：根据电流关系式：IC??IB?(1??)ICBO,可得 0.4mA???0.006mA?(1??)ICBO （1） 1.12mA???0.018mA?(1??)ICBO （2） 将（1）、（2）两式联立，解其联立方程得：
??60进而可得：
ICBO?0.66?A
ICEO?(1??)ICBO?0.66?A?61?40?A
3.1.2根据题图3.1.2所示晶体三极管3BX31A和输出特性曲线，试求Q点处VCE?3V，
IC?4mA,IB?150?A的?和?值，?和?值。
题图3.1.2
解：???IC4mA?0.95 ??20， ??1??IB0.2mA???IC?2mA?0.95 ??20 ??1???IB0.1mACBO3.1.3硅三极管的??50，I可以忽略，若接为题图3.1.3（a），要求IC?2mA，问RE应
为多大？现改接为图(b)，仍要求IC?2mA,问RB应为多大？
(a)
题图3.1.3
(b)
解：（a）IB?IC??2mA?40??A? 50IE??1???IB?2.04mAIE?RE?6?VBERE6?VBE6?0.7??2.6?k??IE2.04?IC
（b）IB??2mA?40??A? 50BE
RB?VCC?VIB?6?0.7?132k?
0.043.3.1 在晶体管放大电路中，测得三个晶体管的各个电极的电位如题图3.3.1所示，试判断各晶体管的类型（PNP管还是NPN管，硅管还是锗管），并区分e、b、c三个电极。
(a)
(b) 题图3.3.1
(c)
解：题图3.3.1（a）所示的晶体管为锗NPN管 ，三个引脚分别为①e极、 ②b极、 ③c极。 题图3.3.1 (b) 所示的晶体管为硅PNP管，三个引脚分别为①c极、 ②b极、 ③e极。 题图3.3.1(c)所示的晶体管为锗 PNP管，三个引脚分别为①b极、 ②e极， ③c极。 3.3.2在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如题图3.3.2所示，已测出I1??1.2mA，
I2?0.03mA，I3?1.23mA，试判断e、b、c三个电极，该晶体管的类型（NPN型还是
PNP型）以及该晶体管的电流放大系数?。
题图3.3.2
解：题图3.3.2所示的晶体管为PNP管，三个电极分别为②b极、 ①c极、 ③e极，晶体管的直流电流放大倍数为 ?=1.2/0.03=40。
3.3.3共发射极电路如题图3.3.3所示，晶体管??50,ICBO?4?A，导通时VBE??0.2V，问当开关分别接在A、B、C三处时，晶体管处于何种工作状态？集电极电流IC为多少？设二极管D具有理想特性。
题图3.3.3
解：题图3.3.3所示的电路，当开关置于A位置时，Ib=（2-0.2）/10=0.18 mA Icbo=12/（1×50）=0.24 mA 故工作在放大区，Ic=Ib×50=9 mA。
当开关置于B位置时，晶体管工作在截止区， Ic=0。 当开关至于C位置时，晶体管工作在饱和区。
3.3.4. 题图3.3.4电路中，分别画出其直流通路和交流通路，试说明哪些能实现正常放大？哪些不能？为什么？（图中电容的容抗可忽略不计）。
(e)
(f)
(c)
(d)
(a)
(b)
解：题图所示的各个电路中，图（a）能放大，直流通路满足发射结正偏、集电结反偏；
题图3.3.4