发布时间 : 星期三 文章中科院苏州纳米所实习报告更新完毕开始阅读
水电气安全：水电气安全问题立刻报告平台工作人员。
消防安全：碱金属，三酸（硫酸，硝酸，盐酸），轻于水的易燃液体不能用水扑救。常见的灭火器有干粉灭火器（有腐蚀性，不适用于昂贵的仪器），二氧化碳灭火器（一般摆放在设备旁边，一拔二压）。消防栓中水管与水带的阀门不同。无机和有机清洗间均有防火棉。
逃生路线：每个楼层都有两个逃生门，一楼A逃生门外开，B逃生门内开。 化学品安全：
1. 清洗间（有机清洗间和无机清洗间）使用流程：
① .预约并阅读化学品安全技术说明书（MSDS）。
② .额外的器皿和特殊化学品如要带入需向平台管理员申请。
③ .填写《加工平台清洗台使用记录表》相关操作内容并记录开始时间。 ④ .防护用品准备和穿戴（所有无机化药和有机中的三氯乙烯、四氯化碳、氯苯均需要穿戴完整防护，其余有机化药需要佩戴防护眼镜和手套）。手部防护：防护橡胶手套。眼部防护：防护眼镜。面部防护：防护面罩。身体防护：围裙、护袖。
⑤ .化学品操作：混合溶液时密度大的注入密度小的，稀释时加溶液于水，不可颠倒。不可将氢氟酸放置在石英和玻璃器皿中。要节约使用化药。
⑥ .操作结束后要清洗台面及橡胶手套，废液按要求处理。 ⑦ .脱下防护用品，与穿戴顺序相反。
⑧ . 填写《加工平台清洗台使用记录表》相关操作内容并记录结束时间。
2.废液的回收和存放：
处理无机废液时，要注意选择好相应的废液桶，倒废液之前加入5倍以上的去离子水稀释（浓硫酸除外），其中废液稀释的水包括原溶液以上的去离子水稀释（浓硫酸除外），其中废液稀释的水包括原溶液中的水。
废浓硫酸桶中存放废液有： （1）废浓硫酸占总体积大于50％以上的废液。 （2）废纯浓硫酸。两者废液都不需要稀释，直接倒入废浓硫酸桶。两者废液都不需要稀释，直接倒入废浓硫酸桶。如果废液中浓硫酸总体积比小于50％，则需要加5倍以上去离子水稀释（废浓硫酸加入水）倒入废酸桶。
有机无机分开，酸碱分开的原则。浓酸和稀酸分开的原则。HF和BOE一起回收和存放。稀碱单独回收和存放。丙酮、乙醇、异丙醇有机溶剂一起回收和存放。按照每个桶贴上标签或标识，倾倒和回收化学废液。桶盖不要拧紧。
3.化学品知识：
化学品入侵途径分吸入，食入和皮肤接触。
皮肤接触：立即脱去污染的衣着，用大量流动清水冲洗至少15分钟，就医。眼睛接触：立即提起眼睑，用大量流动清水或生理盐水彻底冲洗至少15分钟，就医。吸入：迅速脱离现场至空气新鲜处，保持呼吸道通畅，如呼吸困难，给输氧，如呼吸停止，立即进行人工呼吸，就医。食入：腐蚀性：用水漱口，不可催吐。就医。非腐蚀性：饮足量温水，催吐。就医。小量泄漏：用大量水冲洗，洗水稀释后放入废水系统。
接触氢氟酸或BOE（氢氟酸和氟化铵），应在一分钟内用六氟灵冲洗，之后流水冲洗至少15分钟后就医。（一楼的在有机清洗间新液药品柜的柜顶，二楼的在无机清洗间）
三，常用小型设备介绍
快速退火炉（用于快速热处理，原理为高功率卤钨灯和红外辐射加热）。 台阶仪（用于台阶高度和表面粗糙度的检测，原理为探针在样品表面划过的高度由探针后面的传感器所记录）。
膜厚仪（用于测量薄膜厚度，原理为薄膜表面或界面的反射光与基底的反射光相干涉，通过计算拟合得到薄膜的厚度）。
光学轮廓仪（用于测量台阶高度、表面粗糙度、三维形貌，原理为薄膜表面的反射光与参考面的反射光相干涉，通过计算得到薄膜表面的高精度轮廓）。
数码显微镜（用于常规显微观察，原理为CCD成像）。 莱卡金相显微镜（用于常规显微观察，原理为CCD成像）。
7.7清洗间考核
我们有五个人被安排在一楼有机清洗间进行考核，老师抽查了两名同学的操作情况，我们在旁观察，操作过程中并没有出现过多的疏漏，但是在使用溶液时对量把握地不够好，并且最后清理台面不够干净。
7.8综合培训考试
主要考查了综合培训中提到的平台预约，清洗间的使用，安全问题，超净间使用规范等项目。
7.11综合理论培训（光刻工艺，刻蚀及CMP，薄膜沉积技术，封装工艺） 一，光刻工艺
光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到以后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上。光刻工艺的主要流程为清洗—表面处理—涂胶—前烘—对准、曝光—后烘—显影—坚膜—检查。
光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化，分为正性光刻胶（曝光后软化变得可溶）和负性光刻胶（曝光后硬化变得不可溶解）。
常用的曝光设备：步进重复式曝光系统，接触、接近式曝光系统，电子束、离子束曝光系统。
分辨率增强技术：离轴照明技术，相移掩模技术，邻近效应修正技术，多重曝光技术，抗反射层技术。 二，刻蚀技术
刻蚀工艺基础：用物理的、化学的或者同时使用物理和化学方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分材料去除，从而得到和抗蚀剂一致的图形，实现图形转移。
两类蚀刻方法：湿法蚀刻（湿法化学过程，各向同性），干法蚀刻（等离子刻蚀，通常为各向异性）。干法蚀刻效果较为优异。
干法蚀刻的不同类型：反应离子刻蚀，等离子刻蚀，ICP刻蚀。
掩膜选取原则：刻蚀选择比，去除方便，高温工艺需要避免互融及共晶，是否需要通过掩膜对刻蚀结果进行控制。
刻蚀工艺中主要工艺参数：温度，功率，压力，其他（气体流量，反应物材料，反应腔室洁净度，掩膜材料）。 三，薄膜沉积技术