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模拟电子技术基础
第1章 常用半导体器件
1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9
解:如解图1.9。
解图1.9
第2章 基本放大电路
习题
2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80,
rbe=1kΩ,
??20mVUi,静态时
判断下列结论是否正确，在括号内打“√”和“×”表示。 UBEQ?0.7V,UCEQ?4V,IBQ?20?A。
4???4??5.71 (×) A??200 (×) (2)u0.720?10?3???80?5??400 (×) (4)A???80?2.5??200 (√) (3)Auu11200.7k??1k? (×) (6)Ri?k??35k? (×) (5)Ri?200.02?(1)Au?? (7)Ri (9)RO?3k? (×) (8)Ri?1k? (√) ?5k? (√) (10)RO?2.5k? (×)
? (11)US??60mV?20mV (×) (12)US' (√)
2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，r?100?。分别计算RL??和RL?3k?时
bb的Q点、
A?u、Ri和Ro。 解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为：
IBQ?VCC?UBEQUBEQR??22?A
bRs
ICQ??IBQ?1.76mA
rbe?rbb'?(1??)26mVI?1.3k? EQ空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：
UI?u???RcCEQ?VCC?CQRc?6.2V； Ar??308 be
Ri?Rb//rbe?rbe?1.3k?； A??rbeusr?A?u??93 be?Rs
Ro?Rc?5k?
RL?3k?时，静态管压降、电压放大倍数分别为：
URLCEQ?R?RVCC?ICQ(Rc//RL)?2.3VLc用基尔霍夫电流定律容易理解
A????(Rc//RL)r??115 A?us?rbeu?A?u??34.7 berbe?Rs Ri?Rb//rbe?rbe?1.3k? Ro?Rc?5k?。
2.9 已知图P2.9所示电路中，晶体管β=100，rbe=1.4kΩ。
2
(1)现已测得静态管压降UCEQ=6V，估算Rb；
?和U?的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少？ (2)若测得Uio
解：(1)IC?∴Rb?VCC?UCE?2mA，IB?IC/??20?A,
RcVCC?UBE?565k?。
IB(2)由
???Uo???(Rc//RL)??100, AuUirbe可得:
RL?2.625k?。 图P2.9
2.11 电路如图P2.11所示，晶体管β=100，rbb?=100Ω。
?、R和R； (1)求电路的Q点、Aiou(2)若改用β=200的晶体管，则Q点如何变化？
(3)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
解：(1)静态分析：
UBQ?Rb1?VCC?2V
Rb1?Rb2
IEQ?UBQ?UBEQRf?ReIEQ1???1mA
IBQ??10?A
UCEQ?VCC?IEQ(Rc?Rf?Re)?5.7V 图P2.11
动态分析：rbe?rbb'?(1??)26mV?2.73k? IEQ
????(Rc//RL)??7.7 Aurbe?(1??)Rf3
Ri?Rb1//Rb2//[rbe?(1??)Rf]?3.7k? Ro?Rc?5k?
?Rb1； ?VCC?2V（不变）
Rb1?Rb2；IBQ??1mA（不变）
(2) β=200时，UBQ
IEQ?UBQ?UBEQRf?ReIEQ1??； ?5?A（减小）
。 UCEQ?VCC?IEQ(Rc?Rf?Re)?5.7V（不变）
? (3) Ce开路时，Au
???(Rc//RL)R//RL； ??c??1.92（减小）
rbe?(1??)(Re?Rf)Re?Rf； Ri?Rb1//Rb2//[rbe?(1??)(Re?Rf)]?4.1k?（增大）。 Ro?Rc?5k?（不变）
2.12 电路如图P2.12所示，晶体管的β=80，rbe=1kΩ。 (1)求出Q点； (2)分别求出RL=∞和RL=3kΩ时电路的
解：(1)求解Q 点：
?、R和R。 AiouIBQ?VCC?UBEQRb?(1??)Re?32.3?A
IEQ?(1??)IBQ?2.61mA UCEQ?VCC?IEQRe?7.17V
(2)求解放大倍数和输入、输出电阻： RL=∞时；
??Au(1??)Re?0.996图P2.12
rbe?(1??)Re
Ri?Rb//[rbe?(1??)Re]?110k?
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