发布时间 : 星期日 文章毕业设计-Bi-CMOS集成运算放大器 - 图文更新完毕开始阅读
期工作。最常用的金属互联线是Cu和Al。
在所有的工艺完成之后在器件的最外层加一层保护层通常选用氮化硅来作为这层保护层。其剖面图如图4.11所示：
图4.11金属化剖面图
第五章 总结
在这次毕业设计中，我的主要工作有：掌握集成运算放大器的基本工作原理；学习版图的画法及注意事项；了解Bi-CMOS工艺，并熟悉工艺流程。
在学习集成运算放大器的工作原理时，我通过查阅资料，并结合在学校学过的专业知识，从简单的单级放大器到差分放大器再到运算放大器，逐步深入了解它们的工作原理。
通过电路仿真，我更加深刻的理解了运算放大器的各个参数的意义，并且更清楚各参数的变化对电路性能的影响。例如：增益、功耗、电压摆幅、速度、线性度和噪声等，它们之间相互影响，相互制约，我们可以选择牺牲其中的一些参数，来获取其他参数给电路带来的优良性能（如可牺牲高增益来获取电路好的线性度，牺牲电压摆幅可获得低的电路功耗等）。同时我还粗略的了解了放大器的频率特性。
在版图的绘制过程中，我也学到了不少知识。首先在画单管的时候，我们可以建立自己的底层单元，在整个版图的绘制中，我们可以调用底层单元，这样不仅
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减少工作量，而且在DRC验证出错时可以避免挪动太多，只需修改底层单元就可以将整个版图中出现的相同错误全部改正，这样就可以很方便的完成版图编辑工作。其次，在版图的编辑过程中，我也学会合理布局，尽量减小版图的面积，在减小版图面积的同时还需要考虑整体版图的美观、布局对电路性能的影响以及布线等各方的因素。最后就是验证方面的知识，主要包括DRC验证和LVS验证，了解它们的验证步骤以及验证出错后该如何修改。例如DRC验证时出错率最高的就是层与层、铝线与铝线之间的间距，这就要求我在绘制版图之前必须熟悉工艺规则；在LVS验证时，错误主要表现在管子的尺寸和个数不匹配，端口连接不匹配等，这就要求我在绘制版图的过程中药认真仔细。
最后的工作就是了解Bi-CMOS工艺，我主要了解了Bi-CMOS工艺发展及其应用领域，熟悉工艺流程。
通过毕业设计，我不但学习到许多专业知识，同时还锻炼了我在工作时的细心、耐心与虚心以及刻苦钻研的精神，这不仅是为了完成这次毕业设计，更为我以后步入社会，走上工作岗位积累了宝贵的财富。
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