材料科学基础复习试题和部分答案 联系客服

发布时间 : 星期一 文章材料科学基础复习试题和部分答案更新完毕开始阅读

.

(B)形成亚晶界

(C)位错重新运动和分布

72. 再结晶晶粒长大的过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因,晶界总是向着

______________方向移动 (A)曲率中心

(B)曲率中心相反

(C)曲率中心垂直

73. 开始发生再结晶的标志是: (A)产生多变化

(B)新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织 (C)晶粒尺寸显著增大

74. 在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于 。 (A)复合强化

(B)析出强化

(C)固溶强化

75. 在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于 。 (A)复合强化

(B)析出强化

(C)固溶强化

76. 在纯铝的凝固过程中添加Al-Ti-B细化剂属于 。 (A)复合强化

(B)晶粒细化

(C)固溶强化

77. 凝固时在形核阶段,只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心,当形成的核胚半径

等于临界半径时,体系的自由能变化 。 (A)大于零

(B)等于零

(C)小于零

78. 以下材料中,结晶过程中以非小平面方式生长的是 。 (A)金属锗

(B)透明环己烷

(C)氧化硅

79. 以下材料中,结晶过程中以小平面方式生长的是 。 (A)金属锗

(B)铜镍合金

(C)金属铅

80. 形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的 。 (A)1/3

(B)2/3

(C)1/4

. .

.

81. 铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时,则固态显微组织主要为 。 (A)树枝晶

(B)柱状晶

(C)胞状晶

82. 凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法? (A)加入形核剂

(B)减小液相过冷度

(C)对液相实施搅拌

83. 对离异共晶和伪共晶的形成原因,下述说法正确的是 。 (A)离异共晶只能经非平衡凝固获得 (B)伪共晶只能经非平衡凝固获得

(C)形成离异共晶的原始液相成分接近共晶成分

多项选择题: 第1章

1. 以下同时具有方向性和饱和性的结合键的是 。 (A)共价键 第2章

2. 晶体区别于其它固体结构的基本特征有 。 (A)原子呈周期性重复排列 (B)长程有序 (E)各向异性

3. 具有相同配位数和致密度的晶体结构是 。 (A)面心立方

4. 以下具有多晶型性的金属是 。 (A)铜

(B)铁

(C)锰

(D)钛

(E)钴

(B)体心立方

(C)简单立方

(D)底心立方 (E)密排六方

(C)具有固定的熔点(D)各向同性

(B)离子键

(C)氢键

(D)金属键 (E)范德华力

. .

.

5. 以下 等金属元素在常温下具有密排六方晶体结构。 (A)镁

(B)锌

(C)镉

(D)铬

(E)铍

6. 铁具有多晶型性,在不同温度下会形成 等晶体结构。 (A)面心立方

第3章 晶体缺陷

7. 晶体中点缺陷的形成原因有 。 (A) (B)

(C) (D)

(E)

(B)体心立方

(C)简单立方

(D)底心立方 (E)密排六方

温度起伏, 高温淬火、冷变形加工、高能粒子辐照

8. 晶体缺陷中属于面缺陷的有 。 (A)层错

第4章 固体中原子及分子运动

9. 影响扩散的主要因素有 。 (A)温度 第6章

10. 关于均匀形核,以下说法正确的是 。

(A)体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二 (B)非均匀形核比均匀形核难度更大 (C)结构起伏是促成均匀形核的必要因素

. .

(B)外表面 (C)孪晶界 (D)相界 (E)空位

(B)固溶体类型 (C)晶体结构 (D)晶体缺陷 (E)化学成分

.

(D)能量起伏是促成均匀形核的必要因素 (E)过冷度△T越大,则临界半径越大

11. 以下说法中, 说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。 (A)非均匀形核所需过冷度更小 (B)均匀形核比非均匀形核难度更大

(C)一旦满足形核条件,均匀形核的形核率比非均匀形核更大 (D)均匀形核试非均匀形核的一种特例

(E)实际凝固过程中既有非均匀形核,又有均匀形核

12. 晶体的长大方式有 。

(A)连续长大 (B)不连续长大 (C)平面生长

(D)二维形核生长 (E)螺型位错生长

13. 控制金属的凝固过程获得细晶组织的手段有 。

(A)加入形核剂 (B)减小液相过冷度 (C)增大液相过冷度(D)增加保温时间(E)施加机械振动 第7章

14. 二元相图中,属于共晶方式的相转变有 。 (A)共晶转变 (B)共析转变

15. 二元相图中,属于包晶方式的相转变有 。 (A)包晶转变 (B)包析转变

16. 二元相图必须遵循以下几何规律: 。

. .

(C)偏晶转变 (D)熔晶转变 (E)合晶转变

(C)合晶转变 (D)偏晶转变 (E)熔晶转变