发布时间 : 星期一 文章模拟电子技术基础第四版课后答案第二章更新完毕开始阅读
?、R和R的分析： Auoirbe?rbb'?(1??)26mV&???(Rc//RL)??95 ?952?, AurbeIEQRi?Rb//rbe?952? , Ro?Rc?3k?。
(2)设Us = 10mV （有效值），则 Ui?Ri&?U?304mV ?Us?3.2mV； Uo?AuiRs?Ri若C3开路，则：
&??Rc//RL??1.5 Ri?Rb//[rbe?(1??)Re]?51.3k? ， AuReUi?Ri&?U?14.4mV。 ?Us?9.6mV， Uo?AuiRs?Ri 改正图 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。
(a) (b)
(c) (d)
图
解：(a)源极加电阻RS ； (b)漏极加电阻RD；
(c)输入端加耦合电容； (d)在Rg 支路加?VGG， +VDD 改为?VDD
改正电路如解图所示。
(a) (b)
(c) (d)
解图
已知图 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示。 (1)利用图解法求解Q点；
?、R和R。 (2)利用等效电路法求解Auoi
(a)
(b) (c) 图
解：(1)在转移特性中作直线uGS??iDRs，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，
得出IDQ?1mA,UGSQ??2V。如解图(a)所示。
(a) (b) 解图
在输出特性中作直流负载线uDS?VDD?iD(Rd?Rs)，与UGSQ??2V的那条输出特性曲线的交点为Q 点，UDSQ?3V。如解图(b)所示。
(2)首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。 gm??iD?uGSUDS??2UGS(off)IDSSIDQ?1mV/V
&??gR??5； R?R?1M?；R?R?5k? Aigumdod
已知图(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。
&。 求解电路的Q 点和Au
(a) (b)
图
解：(1)求Q 点： 根据电路图可知，UGSQ?VGG?3V。
从转移特性查得，当UGSQ?3V时的漏极电流：IDQ?1mA 因此管压降 UDSQ?VDD?IDQRd?5V。
(2)求电压放大倍数：
∵gm?2UGS(th)&??gR??20 IDQIDO?2mA/V， ∴ Aumd
电路如图 所示。（1）若输出电压波形底部失真，则可采取哪些措施？若输出电压波形
&，则可采取哪些措施？ 顶部失真，则可采取哪些措施？（2）若想增大Au解：（1）输出电压波形底部失真，类似于NPN型三极管的饱和失真，应降低Q，故可减小R2或增大R1、RS；若输出电压波形顶部失真，则与上述相反，故可增大R2或减小R1、RS。
&，就要增大漏极静态电流以增大g，故可增大R2或减小R1、RS。 （2）若想增大Amu图中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN 型、PNP 型、N 沟
道结型… … )及管脚(b 、e 、c 、d 、g 、s ) 。
(a) (b) (c) (d)
(e) (f) (g)
图
解：(a)不能。(b)不能。
(c)构成NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。 (d)不能。(e)不能。
(f)构成PNP 型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。 (g)构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。