发布时间 : 星期一 文章第2章模拟电子技术基础（第4版）课后习题答案（周良权）更新完毕开始阅读
（1）UB?VCCRb2/(Rb1?Rb2)?16V?30k?/(30+60)k??5.33V
IC?IE?(UB?UBE)/Re?(5.33?0.7)V/2k?=2.31mA IB?IC/??2.31mA/50=0.046mA
UCE?VCC?IC?(Rc?Re)?16V?2.31mA?(3+2)k?=4.45V（2） rbe?300??(1?50)?26mV/2.31mA=0.874k?
Au???Rc/rbe??50?3k?/0.874k???171.6 Ri?Rb1//Rb2//rbe?60k?//30k?//0.874k??0.84k?
?Ro?Rc?3k?（3）Au???Rc/[rbe?(1??)Re]
??50?3k?/[0.874k??(1?50)?2k?]??1.46
Ri?Rb1//Rb//[rbe?(1??)Re]
?60k?//30k?//[0.874k??(1?50)?2k?]?16.74k? Ro?Rc?3k?
（4）换上一只??100的管子，其IC和UCE不变，放大电路能正常工作。 2．31已知图题2．31所示电路中BJT为硅管，?=50，试求： (1)未接负载RL和接上负载后的电压放大倍数； (2)接上负载后的输入电阻和输出电阻。 2.31解答：
（1）IB?(VCC?UBE)/[Rb?(1??)Re]
?(12?0.7)V/[200k??(1?50)?4k?]?0.028mA
IE?IC?50?0.028mA=1.4mArbe?300??(1?50)?26mV/1.4mA?1.25k???
'??(1??)R/r[e??(?1R)]未接负载时 Auebe
??(1?50)?4k?/[1.25k??(1?50)?4k?]?0.994
(e接负载时 Au??(1??)R?/R/L)r??(1Re)(RL //b/?e[)] ??51?(4k?//1.5k?)/[1.25k??51?(4k?//1.5k?)]?0.978 ??（2） Ri?Rb//[rbe?(1)R(e/R/L
)] ?200k?//[1.25k??(1?50)?(4k?//1.5k?)]?44k? ?1? Ro?Re//[rbe/(?)]4?k//(1.?25k?/ 5?1)24
(2)输入电阻Ri和输出电阻Ro1、Ro2；
(3)电路正常工作为放大状态，但出现故障后用直流电压表测得：①UCE=16 V；②UCE =0.3 V；
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试分析故障产生的原因有哪几种可能?
2.32解答：
（1）IB?(VCC?UBE)/[Rb?(1??)Re]
?(12?0.7)V/[200k??(1?50)?1k?]?0.045mA
IE?IC?50?0.045mA=2.25mArbe=300??(1?50)?26mV/2.25mA?0.889k?Au1???Rc/[rbe?(1??)Re]??50?3k?/[0.889k??(1?50)?1k?]??2.9Au2?(1??)Re/[rbe?(1??)Re]?(1?50)?1k?/[0.889k??(1?50)?1k?]?0.98??
（2）Ri?Rb//[rbe?(1?50)?Re]
?200k?//[0.889k??(1?50)?1k?]?41.2k?
Ro1?Rc?3k?Ro2?rb/(1e??)?889?/(1?50)?17.4?
（3） ①当测得UCE=16 V时，三极管为截止状态，可能由以下几种原因产生：Rb过大或Rb断路或三极管发射结断路或Re断路等。
② 当测得UCE=0.3 V时，三极管为饱和状态，可能由以下几种原因产生：Rb过小或Rb短路或三极管集电结被击穿短路或外部b、c极之间短路等。
2．33图题2．33所示电路中BJT为硅管，?=100。 (1)该电路是哪种组态? (2)求电压放大倍数； (3)求输入电阻和输出电阻。 2.33解答：
（1）是共基组态
（2）UB?VCCRb/(Rb?Rc2)?15V?60k?/(60?60)k??7.5V
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IE?(UB?UBE)/Re?(7.5?0.7)V/2.9k??2.35mA rbe?300??(1?100)?26mV/2.35mA?1.417k?Au??(Rc1//RL)/rbe?100?(2.1k?//1k?)/1.417k??48.04?
（3）Ri?Re//[rbe/(1??)]?2.9k?//[1.417k?/(1?100)]?14? Ro?Rc1?2.1k?
2．34四个FET的输出特性如图题2．34所示(其中漏极电流的参考方向与实际方向一致)，试问它们是哪种类型的FET?若是耗尽型的，指出其夹断电压UGS(off)和饱和电流IDSS的大小；若是增强型的，指出其开启电压UGS(th)的大小。
2.34解答：
（a）耗尽型NMOS管，UGS(off)= –4 V, IDSS=2 mA
（b）结型P沟道，UGS(off)=4 V, IDSS=4 mA （c）增强型PMOS管，UGS(th)= –2 V （d）增强型NMOS管，UGS(th)=2 V
2．35 四个FET的转移特性如图题2．35所示，试判别它们分别属于哪种类型的FET，对于耗尽型的，指出其夹断电压UGS(off)和饱和电流IDSS的大小；对于增强型的，指出其开启电压UGS(th)的大小。
2.35解答：
（a）结型N沟道，UGS(off)= –4 V, IDSS=4 mA
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（b）耗尽型NMOS管，UGS(off)= –4 V, IDSS=2 mA （c）增强型PMOS管，UGS(th)= –2 V
（d）耗尽型PMOS管，UGS(off)=2 V, IDSS=2 mA
2．36 已知图题2．36所示电路中FET的IDSS =5 mA，已知gm=1．34 mS，试求： (1)电压放大倍数；
(2)输人电阻和输出电阻。
2.36解答：
'?Rd//RL?3k?//1?103k??2.99k? （1）RL'??1.34mS?2.99k???4 Au??gmRL?
（2）Ri?Rg3?(Rg1//Rg2)?510k??(91k?//10k?)?519k? Ro?Rd?3k?
2．37 已知图题2．37所示电路中FET的gm=5 mS，当US=20 mV时，试求输出电压uo
的大小。
2.37解答：
'?R2//Rd//RL?10?103k?//20k?//10k??6.66k?RL ?'Au??gmRL??5mS?6.66k???33.3由于Ri?Rs，故Aus?AuRi/(Ri?Rs)?Au 所以
Uo?33.3?20mV=666mV
???2．38求图题2．38所示电路中的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。已
知gm=1 ms，IDO =2 mA，UGS(th)=2 V。
2.38解答：
UGS?VDDRg2/(Rg1?Rg2)?15V?3k?/(12k??3k?)?3VID?IDO(UGS/UGS(th)?1)2?2mA(3V/2V?1)2?0.5mAUDS?VDD?IDRd?15V?0.5mA?10k?=10VAu??gmRd??1mS?10k???10Ri?Rg3?(Rg1//Rg2)?10M??(12k?//3k?)?10M?Ro?Rd?10k?
?
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2．39 图题2．39所示为光电三极管直接驱动24 V、5 mA的微型继电器KA的电路，试说明其工作原理及二极管D的作用(该光电管的光电流大于10 mA，最高工作电压30 V)。
2.39解答： 有光照时，光电三极管导通，继电器KA的线圈有电流通过，则继电器的触点（图中未画出）动作；无光照时，光电三极管截止，继电器KA的线圈无电流通过，则继电器的触点恢复原来状态，从而实现继电器对相关设备的控制。图中二极管称续流二极管，由于继电器KA的线圈是电感元件，当光电三极管由导通到截止的瞬间，继电器线圈两端将产生较高的自感应电压，极性为下正上负，从而使二极管导通，钳位于0.7 V，对三极管起保护作用。
2．40 图题2．40所示为光电耦合器组成的无触点常开式开关电路，试说明其工作原理。 2.40解答： 当输入为低电平时，三极管T截止，光电耦合器中的发光器件无电流通过不发光，则光电耦合器中的受光器件无输出，相当于触点断开；当输入为高电平时，三极管T饱和导通，光电耦合器的发光器件有电流通过而发光，则光电耦合器的受光器件有输出，相当于触点闭合；因此，光电耦合器构成无触点的动合式开关电路。
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