发布时间 : 星期四 文章电子科技大学博士考试大纲 - 图文更新完毕开始阅读
考试科目 考试时间 3001半导体物理 180分钟 考试形式 考试总分 笔试（闭卷） 100分 一、总体要求 要求考生对半导体物理中的基本概念有深刻的理解，系统掌握半导体物理学的基础理论，并能灵活应用基础理论和基本概念去分析金属/半导体接触和金属/绝缘体/半导体（MIS）结构中的载流子分布、能带状况以及两种结构的电学性能，具有较强的分析问题和解决问题的能力。 二、内容 1. 半导体中的电子状态 1）了解半导体的三种常见晶体结构即金刚石型、闪锌矿和纤锌矿型结构； 2）以及两种化合键形式即共价键和离子键在不同结构中的特点; 3）了解电子的共有化运动； 4）理解能带不同形式导带、价带、禁带的形成； 5）导体、半导体、绝缘体的能带与导电性能的差异；掌握本征激发的概念。 6）了解半导体中电子的平均速度和加速度； 7）掌握半导体有效质量的概念、意义和意义； 8）理解本征半导体的导电机构； 9）掌握半导体空穴的概念及其特点； 10）理解典型半导体材料锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。 2． 半导体中的杂质和缺陷能级 1） 掌握锗、硅晶体中的浅能级形成原因，多子和少子的概念； 2） 了解浅能级杂质电离能的计算；了解杂质补偿作用及其产生的原因； 3） 了解锗、硅晶体中深能级杂质的特点和作用； 4） 了解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念； 5） 了解缺陷（主要是两类点缺陷弗仑克耳缺陷和肖脱基缺陷）、位错（一种线缺陷）施主或受主能级的形成。 3． 热平衡时半导体中载流子的统计分布 1） 掌握状态密度，费米能级的概念； 2） 掌握载流子的费米统计分布和波尔兹曼统计分布； 3） 掌握本征半导体的载流子浓度和费米能级公式推导和计算； 4） 掌握非简并半导体载流子浓度和费米能级公式推导和计算、杂质半导体的载流子浓度以及费米能级随掺杂浓度以及温度变化的规律； 5） 了解简并半导体及其简并化条件。 4． 半导体的导电性 1） 了解载流子的热运动特点； 2） 掌握迁移率、电导率、杂质散射、晶格散射等概念； 3） 重点掌握载流子的漂移运动； 4） 理解载流子的散射理论； 5） 迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系等； 6） 了解强电场效应、多能谷散射。 5． 非平衡载流子 1）了解非平衡载流子； 2）理解非平衡载流子的注人与复合； 3）掌握非平衡载流子的寿命； 4）掌握准费米能级； 5）掌握复合机理； 6）了解陷阶效应； 7）掌握载流子的扩散运动及其计算； 8）掌握爱因斯坦关系； 9）解连续性方程。 6． 金属和半导体的接触 1）理解功函数的概念； 2）理解肖特基势垒高度； 3）掌握金属和半导体接触的整流理论； 4）理解少数载流子的注人； 5）理解欧姆接触； 6）理解镜像力降低效应； 7）理解镜像力降低效应； 8）理解欧姆接触和隧道效应 7． 半导体表面与MIS结构 1）掌握表面电场效应； 2）理解表面态； 3）掌握MIS结构的电容一电压特性； 4）理解硅一二氧化硅系统的性质； 三、题型及分值 1. 简答题（20分） 2. 分析说明题（10分） 3. 作图题（20分） 4. 证明题（15分） 5. 计算题（35分） 考试科目 考试时间 3002材料化学 180分钟 考试形式 考试总分 笔试（闭卷） 100分 一、总体要求 基本概念清楚，熟悉基本公式并能熟练应用。 二、内容 1． 掌握热力学第一定律、卡诺循环、化学反应热的计算、基尔霍夫定律； 2． 掌握热力学第二、三定律、各热力学函数的计算、各热力学函数的关系、克拉贝龙方程及其应用、多组分体系的偏摩尔量及化学势； 3． 掌握理想、非理想气体、溶液化学势的计算、稀溶液化学势的应用； 4． 掌握相律及相平衡的基本原理、二、三组分体系相图的识别； 5． 掌握不同化学平衡常数表示法之间的关系、不同条件对化学平衡的影响关系； 6． 掌握摩尔电导率与溶液浓度的关系、离子独立移动定律、电导测定的应用；电解质平均活度及活度系数的计算； 7． 掌握可逆电池的热力学、可逆电池电动势计算及其应用； 8． 掌握超电势的原理及计算、溶液中不同成分的分离原理； 9． 掌握简单级数反应动力学方程及应用、三种复杂反应的动力学方程、阿仑尼乌斯公式及其应用、直链反应历程的验证、光化学及催化化学反应动力学； 10． 11． 三、题型及分值比例 简答题（40分） 计算题（60分） 掌握弯曲表面的附加压力及蒸气压的计算、固体表面的吸附、气－固表面催化反应动力学； 胶体化学的基本知识。