发布时间 : 星期五 文章单晶硅制绒更新完毕开始阅读
功能 温度 时间 去磷硅玻璃 常温 2.5min 漂洗 常温 5min 喷淋 常温 7min 慢拉 常温 2min 烘干 170±5℃ 16min 10 化学液更换频率 （同附表三） 槽号 换液频率 更换时间 11 运行
11.1根据《二次清洗设备操作规程》，在手动工作状态下，按照“9 二次清洗工艺参数的设置”，设定
各槽时间，及相关的温度；
11.2根据《二次清洗设备操作规程》，打到自动工作状态，运行清洗设备，对硅片进行清洗。 12 检验
每篮抽取5片硅片，在日光灯下目测，硅片表面是否干燥，无水迹和其它污点。 13 工艺安全及注意事项
13.1工艺安全：氢氟酸和氟化铵溶液都具有强腐蚀性，在配液过程中，操作人员接触化学药
品时应按
照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。
13.2硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一次
性手套、
洁净工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类玷污硅片。 13.3硅片易碎，在操作过程中，操作人员要轻拿轻放，以减少碎片。 13.4真空吸笔要经常用酒精清洗，在操作过程中保持清洁 14.引用文件
二次清洗设备操作规程：SF／QD-设备-05
刻蚀、二次清洗检验工艺规程：SF／QD-工艺-14
21
1号槽 12小时全部换液重配 交接班 扩散面向下
插片 片盒小面朝上 片盒大面朝下
已刻蚀硅片的流入 经等离子刻蚀过的硅片流入到插 片工作台，硅片方向须按此放置 非扩散面向上 图一
非扩散面向上， 扩散面向下 图二
22
上料 将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中每篮12个片盒，片盒之间有相应的间隔
图3
化学腐蚀液的配制比例（附表一）
槽号 功能 清洗液组成 标准浓度（克/升） 加入试剂（升) 加入试剂（瓶) 液面高度（厘米） 1号槽 去磷硅玻璃 2号槽 漂洗 3号槽 喷淋 4号槽 慢拉 去离子水 / / / 30 5、6号槽 烘干 清洁风 / / / / 49%氢氟酸 40%氟化氨 去离子水 去离子水 40±5 12 3 32 18±5 160 40 32 / / / 32 / / / 32 二次清洗工艺参数设定（附表二）
槽号 功能 温度 时间 1号槽 去磷硅玻璃 常温 2.5min 2号槽 漂洗 常温 5min 3号槽 喷淋 常温 7min 4号槽 慢拉 常温 2min 5、6号槽 烘干 170±5℃ 16min
23
PECVD工艺说明
1. 目 的
确保二次清洗后的PECVD工艺处于良好的受控状态 2 使用范围
适用于本公司单晶硅电池片的PECVD工序 3. 责任
本工艺说明由技术部负责 4. 内 容 4.1工艺准备
4.1.1 检查设备和PC上是否有故障显示（红色灯或/和红色点）； 4.1.2 进入“process chamber”?“recipe”，对照下面图片检查各工艺参数是否正确：
4.1.3 如检查无问题，点击右侧中部的“pump”按钮，进入真空泵控制面板，在“process pump”下的按钮框里点“evacuate”按钮，启动工艺腔真空泵。几秒之后LC（上料腔）和ULC（下料腔）的“evacuate”按钮激活，点击这两个按钮，打开相应的真空泵，开始抽LC和ULC。 4.1.4 进入process?parameters,把heater2和heater3的standby-temperature修改为400℃并保存；
4.1.5 当真空腔压强降至一定时，heater2和heater3启动，当它们的温度均稳定在400±3℃
后，方可加载菜单、启动工艺。
24