发布时间 : 星期四 文章微机原理与接口技术+参考答案更新完毕开始阅读
同步传输——该方式以稳定的速率发送和接收信息，保证数据的连续和及时，用于数据传输正确性要求不高而对实时性要求高的外设，例如麦克风、喇叭、电话等。
第6章 存储系统
〔习题6.1〕简答题
〔解答〕
① 因为各种存储器件在容量、速度和价格方面存在矛盾。速度快，则单位价格高；容量大，单位价格低，但存取速度慢。故存储系统不能采用一种存储器件。
② Cache中复制着主存的部分内容。当处理器试图读取主存的某个字时，Cache控制器首先检查Cache中是否已包含有这个字。若有，则处理器直接读取Cache，这种情况称为高速命中；若无，则称为高速缺失。
③ 标签存储器保存着该数据所在主存的地址信息。
④ 主存块与Cache行之间的对应关系称“地址映射”， Cache通过地址映射确定一个主存块应放到哪个Cache行组中。
⑤ 写入策略用于解决写入Cache时引起主存和Cache内容不一致性的问题。
⑥ 存取时间是指从读/写命令发出，到数据传输操作完成所经历的时间；存取周期表示两次存储器访问所允许的最小时间间隔。存取周期大于等于存取时间。
⑦ 虚拟存储器是由操作系统利用辅助存储器、以磁盘文件形式建立的、在主存储器与辅助存储器之间的一个存储器。
⑧ DRAM芯片容量大、芯片小，高集成度，引脚数量少。故DRAM芯片将地址引脚分时复用，即用一组地址引脚传送两批地址。第一批地址称行地址，第二批地址称列地址。
⑨ 译码电路中只有部分地址线参与译码会造成地址重复，也就是一个存储单元占有多个存储器地址。 ⑩页表项的P位称为存在位（Present），表示该页面是否在物理存储器中。 〔习题6.2〕判断题 〔解答〕
① 错 ⑥ 错
② 对 ⑦ 错
③ 对 ⑧ 对
④ 对 ⑨ 错
⑤ 对 ⑩ 对
〔习题6.3〕填空题
〔解答〕
① 8，1024，1024，1024，1024，240 ② 8KB，4
③ 随机存取存储器，丢失，只读存储器，读取，不会丢失 ④ 8，13，8 ⑤ 2
⑥（UV-）EPROM，Flash Memory ⑦ 58000H，5FFFFH，32KB ⑧ 32，4，64，8
⑨ 直接映射，组合相关映射，全相关映射，2路组合相关映射 ⑩ 00820000H，02000H 〔习题6.4〕
举例说明存储访问的局部性原理。
〔解答〕
处理器访问存储器时，无论是读取指令还是存取数据，所访问的存储单元在一段时间内都趋向于一个较小的连续区域中，这就是存储访问的局部性原理。
例如，求平均值的函数。
long mean(long d[], long num) {
long i,temp=0;
－ －37
for(i=0; i 函数中的变量temp体现了时间局部，因为每次循环都要使用它。顺序访问数组d[]的各个元素（相邻存放在主存），体现了空间局部。循环体内的指令顺序存放，依次读取执行体现了空间局部；同时重复执行循环体，又体现了时间局部。 〔习题6.5〕 简述存储系统的层次结构及各层存储部件特点。 〔解答〕 为解决容量、速度和价格的矛盾，存储系统采用金字塔型层次结构，单位价格和速度自上而下逐层减少，容量自上而下逐层增加。 存储系统的各层存储部件自上而下依次是：CPU寄存器、高速缓存、主存存储器(RAM/ROM)，辅助存储器如磁盘、光盘等。CPU寄存器、高速缓存器集成在CPU芯片上，对用户来说，是透明的，它们用于暂存主存和处理器交互的数据，以减少频繁读取主存而影响处理器速度；主存储器则可和处理器直接交换数据，而辅助存储器必须经过主存存储器，才可与处理器进行数据交换。 〔习题6.6〕 在半导体存储器件中，什么是SRAM、DRAM和NVRAM？ 〔解答〕 SRAM是静态读写存储器芯片，它以触发器为基本存储单元，以其两种稳定状态表示逻辑0和逻辑1。 DRAM是动态读写存储器芯片，它以单个MOS管为基本存储单元，以极间电容充放电表示两种逻辑状态，需要不断刷新保持信息正确。 NVRAM多指带有后备电池的SRAM芯片，这种芯片采用CMOS制造工艺设计以减少用电。 〔习题6.7〕 SRAM芯片的片选信号有什么用途？对应读写控制的信号是什么？ 〔解答〕 片选信号CS：片选有效时，才可以对该芯片进行读/写操作；无效时，数据引脚呈现高阻状态、与系统数据总线隔离，并可降低内部功耗。 读控制信号OE：在芯片被选中的前提下，若OE有效，则芯片将允许地址信号选择的存储单元内的数据输出到数据引脚上。 写控制信号WE：在芯片被选中的前提下，若WE有效，则芯片将数据引脚上的数据写入地址信号选择的存储单元内。 〔习题6.8〕 DRAM为什么要刷新，存储系统如何进行刷新？ 〔解答〕 DRAM以单个MOS管为基本存储单元，以极间电容充放电表示两种逻辑状态。由于极间电容的容量很小，充电电荷自然泄漏会很快导致信息丢失，所以要不断对它进行刷新操作、即读取原内容、放大再写入。 存储系统的刷新控制电路提供刷新行地址，将存储DRAM芯片中的某一行选中刷新。实际上，刷新控制电路是将刷新行地址同时送达存储系统中所有DRAM芯片，所有DRAM芯片都在同时进行一行的刷新操作。 刷新控制电路设置每次行地址增量，并在一定时间间隔内启动一次刷新操作，就能够保证所有DRAM芯片的所有存储单元得到及时刷新。 〔习题6.9〕 什么是掩摸ROM、OTP-ROM、EPROM、EEPROM和Flash ROM？ 〔解答〕 掩膜ROM：通过掩膜工艺、将要保存的信息直接制作在芯片当中，以后再也不能更改。 － －38 OTP-ROM：该类芯片出厂时存储的信息为全“1”，允许用户进行一次性编程，此后便不能更改。 EPROM：一般指可用紫外光擦除、并可重复编程的ROM。 EEPROM：也常表达为E2PROM，其擦除和编程（即擦写）通过加电的方法来进行，可实现“在线编程”和“在应用编程” Flash ROM：是一种新型的电擦除可编程ROM芯片，能够很快擦除整个芯片内容。 〔习题6.10〕 请给出教材图6-7中138译码器的所有译码输出引脚对应的地址范围。 〔解答〕 Y0～Y7的地址范围依次是： E0000H～E3FFFH，E4000H～E7FFFH，E8000H～EBFFFH，EC000H～EFFFFH，F0000H～F3FFFH，F4000H～F7FFFH，F8000H～FBFFFH，FC000H～FFFFFH。 〔习题6.11〕 什么是存储器芯片的全译码和部分译码？各有什么特点？ 〔解答〕 全译码：使用全部系统地址总线进行译码。特点是地址唯一，一个存储单元只对应一个存储器地址（反之亦然），组成的存储系统其地址空间连续。 部分译码：只使用部分系统地址总线进行译码。其特点：有一个没有被使用的地址信号就有两种编码，这两个编码指向同一个存储单元，出现地址重复。 〔习题6.12〕 区别如下各个主存名称的含义：常规主存，扩展主存，扩充主存；上位主存区UMA和上位主存块UMB，高端主存区HMA，影子主存。 〔解答〕 常规主存：8088和8086提供20个地址线A19～A0，寻址1MB的存贮空间，其中，最低640KB的系统RAM区被称为常规主存或基本主存。 扩展主存：IA-32处理器在1MB之后的主存空间都作为RAM区域使用，被称为扩展主存。 扩充主存：处理器不可以直接访问，利用“体交换技术”实现处理器访问。 上位主存区UMA：在常规主存其后384KB（A0000H～FFFFFH）主存称为上位主存区UMA。 上位主存块UMB：上位主存区UMA没有被使用部分，被开辟为上位主存块UMB。 高端主存区HMA：在实方式下，通过控制A20开放，程序可以访问的1MB之后的64KB区域。 影子主存：PC机启动后可以将ROM-BIOS映射到RAM中，这部分用作ROM-BIOS、并被操作系统设置为只读的RAM区域。 〔习题6.13〕 开机后，微机系统常需要检测主存储器是否正常。例如，可以先向所有存储单元写入数据55H（或00H）、然后读出看是否还是55H（或00H）；接着再向所有存储单元写入数据AAH（或FFH）、然后读出看是否还是AAH（或FFH）。利用两个二进制各位互反的“花样”数据的反复写入、读出和比较就能够识别出有故障的存储单元。利用获得的有故障存储单元所在的物理地址，如果能够分析出该存储单元所在的存储器芯片，就可以实现芯片级的维修。试利用汇编语言编写一个检测常规主存最高64KB（逻辑地址从9000H∶0000H到9000H∶FFFFH）的程序，如果发现错误请显示其逻辑地址。 〔解答〕 again: again1: ; 代码段 mov ax,9000h mov ds,ax mov ah,55h push ax mov bx,0 mov al,ah mov [bx],al dec bx ; 写入 ; 先用55H － －39 again2: next2: done: jnz again1 mov al,[bx] cmp al,ah jz next2 dispcrlf push ax mov ax,ds call disphw mov al,':' call dispc mov ax,bx call disphw pop ax dec bx jnz again2 pop ax cmp ah,0aah jz done mov ah,0aah jmp again ; 后用0AAH ; 显示偏移地址 ; 显示段地址 ; 读出 ; 检测 〔习题6.14〕 什么是LRU替换算法？80486片内Cache中，如果3个替换算法位B2B1B0＝010，则将替换哪个Cache行，并给出你的判断过程。 〔解答〕 LRU算法是近期最少使用、即选择最长时间未被使用的数据块进行替换的算法。 B0＝0，说明最近访问了L2/L3行，所以应该替换L0或L1行。B1＝1，说明最近访问了L0行，所以应该替换L1。因为LRU算法是选择最长时间未被访问的Cache行进行替换。 〔习题6.15〕 高速缓冲存储器Cache的写入策略是解决什么问题的？有哪两种写入策略，各自的写入策略是怎样的？ 〔解答〕 写入策略用于在写命中时Cache与主存内容保持一致。 直写式写入策略指处理器对Cache写入的同时，将数据也写入到主存，这样来保证主存和Cache内容一致。它简单可靠。 回写Cache只有在行替换时才可能写入主存，写入主存的次数，会少于处理器实际执行的写入操作数。回写Cache的性能要高于直写Cache，但实现结构略为复杂。 〔习题6.16〕 80486片上8KB Cache的标签存储器为什么只需要21位？ 〔解答〕 80486片上Cache共有8KB容量，采用4路组合地址映射方式。对于4GB容量的主存来说，以Cache路为单位，可以分成4GB÷2KB＝232÷211＝221个Cache路。这样每个Cache行只要设计一个21位的标签存储器，记录该Cache行映射到哪个主存的Cache路。再结合直接映射的组号就可以明确该Cache行对应哪个主存块。 〔习题6.17〕 高速缓存的写入操作有几个很近似的英文词汇，它们分别表示什么含义？ （1）Write Through （2）Write Back （3）Write Around （4）Fetch on Write － －40