发布时间 : 星期六 文章半导体物理学（刘恩科第七版）半导体物理学课本习题解更新完毕开始阅读
第十二章习题
1. 如图12-1所示，设样品长为8mm,宽为2mm,厚为0.2mm的Ge,在样品长度两段加1.0V的电压，得到10mA沿x方向的电流，在沿样品垂直方向（+z）加0.1T的磁场，则在样品长度两段测的电压VAC为-10mA,设材料主要是一种流自导电，试求： ①材料的导电类型； ②霍耳系数； ③载流自浓度； ④载流子迁移率。
2. 求本征Ge和Si室温时的霍耳系数。
3. 室温时测得Ge和Si的霍耳系数为零，求电子和空穴浓度。
4. 为判断Ge的导电类型，测得它的霍耳系数为负，而塞贝克系数为正，该材料的导电类型是什么？说明理由。
5. 对长1cm、宽2nm、厚0.2mm的n型Ge,如在长度两段加1.5V电压是4得到15mA的电流；再沿样品垂直方向加以0.2T的磁场，测的霍耳电压为-30mV,求： ①霍耳系数； ②载流子浓度； ③零磁场时的电阻率。
④0.2T时的电阻率（分别计算长生学波和电离杂质散射时的情况，设等能面为球面）。
6. InSb的电子迁移率为7.8m2/（V?s），空穴迁移率为780 cm2/（V?s），本征载流子浓度为1.6?1016cm-3,求300K时： ①本征材料的霍耳系数；
②室温时测得RH=0，求载流子浓度； ③本征电阻率。
7. 对厚为0.08cm的n型GaAs，沿长度x方向同以5mA的电流，沿样品垂直方向加0.5T的磁场，得到0.4mV的霍耳电压，求： ①霍耳系数；
②载流子浓度；
③如材料电阻率为1.5?10-3??cm，求载流子迁移率。
8. 测得霍耳系数时，由于霍耳电极不可能正好做在一个等势面上，因此，在沿x方向通电流时，即使z方向上不加磁场，在霍耳电极两端也能测出由于不等势而引起的横向电压V0，加磁场后，这个电压叠加在霍耳电压上，因此它要影响测量的准确性，必须加以消除。试证明：在+ Bz时测一次横向电压，将磁场改变方向后，即- Bz时再测一次横向电压，便能消除V0的影响。
9. 试证明由于热磁效应不等势电势V0的影响，测霍耳系数时，分别改变次磁场和电流的方向，共测四次横向电压，便能消除爱廷豪森效应的其他副效应。