发布时间 : 星期六 文章数字电路第七章答案 - 图文更新完毕开始阅读
第七章 可编程逻辑器件PLD
第一节 基本内容
一、基本知识点
（一）可编程逻辑器件PLD基本结构
可编程逻辑器件PLD是70年代发展起来的新型逻辑器件，相继出现了只读存储器ROM、可编程只读存储器PROM、可编程逻辑阵列PLA、可编程阵列逻辑PAL、通用阵列逻辑GAL和可擦写编程逻辑器件EPLD等多个品种，它们的组成和工作原理基本相似。PLD的基本结构由与阵列和或阵列构成。与阵列用来产生有关与项，或阵列把所有与项构成“与或”形式的逻辑函数。在数字电路中，任何组合逻辑函数均可表示为与或表达式，因而用“与门－或门”两级电路可实现任何组合电路，又因为任何时序电路是由组合电路加上存储元件（触发器）构成的，因而PLD的“与或”结构对实现数字电路具有普遍意义。
在PLD中，输入电路中为了适应各种输入情况，每一个输入信号都配有一缓冲电路，使其具有足够的驱动能力，同时产生原变量和反变量输出，为与门阵列提供互补信号输入。输出电路的输出方式有多种，可以由或阵列直接输出，构成组合方式输出，也可以通过寄存器输出，构成时序方式输出。输出既可以是低电平有效，也可以是高电平有效；既可以直接接外部电路，也可以反馈到输入与阵列，由此可见PLD的输出电路根据不同的可编程逻辑器件有所不同。
（二）可编程逻辑器件分类 1.按编程部位分类
PLD有着大致相同的基本结构，根据与阵列和或阵列是否可编程，分为三种基本类型： （1）与阵列固定，或阵列可编程 （2）与或阵列均可编程
（3）与阵列可编程，或阵列固定
归纳上述PLD的结构特点，列于表7-1。
表7-1 各种PLD的结构特点
类 型 PROM PLA PAL GAL 阵 与 固定 可编程 可编程 可编程 列 或 可编程 可编程 固定 固定 输出方式 TS,OC TS,OC,H,L TS,I/O,寄存器 用户定义 2.按编程方式分类 （1）掩膜编程
（2）熔丝与反熔丝编程 （3）紫外线擦除、电可编程 （4）电擦除、电可编程 （5）在系统编程（Isp）
（三）高密度可编程逻辑器件HDPLD
243
通常衡量可编程逻辑器件芯片的密度是以芯片能容纳等效逻辑门的数量，一般是以2000为界限，即芯片容纳等效逻辑门小于2000门，称它为低密度可编程逻辑器件或简单的可编程逻辑器件（SPLD），若大于2000等效逻辑门，称为高密度可编程逻辑器件（HDPLD）。在前面按编程部位分类可编程逻辑器件中提及的通用阵列逻辑（GAL）的等效逻辑门一般不超过2000门，习惯上称其为低密度可编程逻辑器件。
通用阵列逻辑GAL是在PAL基础上发展起来的一种具有较高可靠性和灵活性的新型可编程逻辑器件，它采用E2CMOS工艺和灵活的输出结构，能将数片中小规模集成电路集成在芯片内部，并具有电擦写反复编程的特性。在基本阵列结构上仍是与阵列可编程，或阵列固定的结构。GAL在输出结构配置了8个可以任意组态的输出逻辑宏单元OLMC（Output Logic Macro Cell），适当地为输出逻辑宏单元进行编程组态，GAL就可以在功能上代替编程阵列逻辑PAL。
输出逻辑宏单元OLMC 由或门、异或门、D触发器、多路选择器MUX、时钟控制、使能控制和编程元件等组成。
高密度可编程逻辑器件HDPLD（High Density Programmable Logic Device）从芯片密度上有了很大的改进，单片芯片内可以集成成千上万个等效逻辑门，因此在单片高密度可编程逻辑器件内集成数字电路系统成为可能。HDPLD器件在结构上仍延续GAL的结构原理，因而还是电擦写、电编程的EPLD器件。 （四）现场可编程逻辑器件FPGA
可编程逻辑器件基本组成是与阵列、或阵列和输出电路。对这些基本组成电路进行编程就可以实现任何积之和的逻辑函数，再加上触发器则可实现时序电路。现场可编程门阵列的编程单元是基于静态存储器（SRAM）结构，不像PLD那样受结构的限制，它可以靠门与门的连接来实现任何复杂的逻辑电路，更适合实现多级逻辑功能。
现场可编程门阵列FPGA与HDPLD相比较特点如下：
（1）FPGA的编程单元是基于SRAM结构，可以无限次编程，它为易失性元件，掉电后芯片内信息丢失。通电之后，要为FPGA重新配置逻辑。
（2）FPGA中实现逻辑功能的CLB比HDPLD实现逻辑功能的OLMC规模小，制作一个OLMC的面积可以制作多个CLB，因而FPGA内的触发器要多于HDPLD的触发器， 使得FPGA在实现时序电路时要强于HDPLD。
（3）HDPLD的信号汇总于编程内连矩阵，然后分配到各个宏单元，因此信号通路固定，系统速度可以预测。而FPGA的内连线是分布在CLB周围，而且编程的种类和编程点很多，使得布线相当灵活。
（4）由于FPGA的CLB规模小，可分为两个独立的电路，又有丰富的连线，所以系统综合时可进行充分的优化，以达到逻辑最高的利用。 （五）随机存取存储器RAM
随机存取是指可以随时将数据存入(称写入), 和取出（称读出）。随机存储器(RAM)的主要指标是存储器容量和存取时间（周期）。存储容量表示一片RAM存储数据的能力。存放一个二进制数码需要一个存储单元，所以存储容量常用存储单元的总数（bit）来表示。存取时间表示从存储器中开始存取第一个字到能够存取第二个字为止所需的时间，或称为存取周期。存取时间越短，表示存储器的存取速度越高。
RAM的基本结构可以分为三个部分：存储矩阵，地址译码器及读写控制电路。存储矩阵
244
是用来存储要存放的代码，矩阵中每个存储单元都用一个二进制码给以编号，以便查询此单元。译码器可以将输入地址译为电平信号，以选中存储矩阵中的相应的单元。
存储器根据工作原理的不同可分为静态RAM和动态RAM两大类。 （1）静态RAM
静态RAM是在触发器的基础上附加控制线或门控制管构成的，它们是靠电路状态来存储数据。根据使用的器件不同，静态存储单元又分为MOS型和双极型两种。 （2）动态RAM
动态RAM是利用MOS管栅级电容能够存储电荷的原理制成的。电路结构比较简单，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流不可能为零，所以电荷的存储时间有限。为了及时补充泄露掉的电荷以避免存储信号丢失，必须定时给栅极电容补充电荷。通常把这种操作叫做刷新或再生。因此，工作时必须辅以比较复杂的刷新电路。
二、重点
1.可编程逻辑器件PLD的基本结构与工作原理基于任何组合逻辑函数均可化为与或式,从而实现与门—或门两级电路实现，而任何时序电路又都是由组合电路加上存储元件（触发器）构成。
2.可编程逻辑器件PLD按编程部位分类、编程方法分类的基本概念及其特征。
3.多次可擦写的可编程逻辑器件PLD主要基于浮栅技术，这种编程方法是一只多晶硅浮栅浮于控制栅和衬底之间的半导体中。当控制栅上的电压加大时，产生很强的电场，足以使电子获得能量穿过半导体进入浮栅住留。这样MOS管因为浮栅上存储负电荷作用使开启电压改变，从而达到逻辑编程“0”和“1”的目的。
4.单片可编程逻辑器件容量总是有限的，所以在设计时，应考虑利用多片PLD，按一定方法连接以扩展其容量。
（1）字长扩展
字长又称为数据位数，对字长的扩展即是地址的位数保持不变，而对数据位增加。 （2）字扩展
字又称为地址位数，对字的扩展即是数据的位数保持不变，而对地址位增加。 在实际应用中，往往需要同时进行地址扩展和数据扩展，例如存储器总容量为16KX16bit，用2KX8bit芯片构成存储器时，必须同时进行地址扩展和数据扩展，用16片2KX8bit的芯片，依据一定的连接方式连接，便可得到总容量为16KX16bit=256Kbit的存储器。
5.可编程逻辑阵列PLA电路的分析方法：
（1）根据题意或者电路图，写出逻辑与-或表达式； （2）若时序电路，则写出激励、驱动和输出方程； （3）写出真值表或者状态图；
（4）根据真值表或者状态图分析其工作原理。
6.可编程阵列逻辑PAL和通用阵列逻辑GAL的基本组成和PAL的各种组态、GAL的输出宏单元各种组态及其特点。
7.高密度可编程逻辑器件HDPLD的基本组成和其工作原理。
8.现场可编程门阵列FPGA工作原理是靠门与门的连接实现任何复杂的逻辑电路，较适于多级逻辑设计。重点在于掌握工作原理及其特点。
9. 可编程逻辑器件设计实质上是设计专用集成电路ASIC，整个设计过程必须伴随着电子
245
设计自动化（EDA）软件平台。本教材第二篇指导读者利用Foundation软件设计平台设计高密度PLD器件，完成可编程逻辑器件的设计。
三、难点
1.可编程逻辑器件的不同分类方法及其各种基本概念。 2.PLA电路的设计方法：
（1）根据题意写出真值表或者状态图； （2）选择触发器；
（3）写出驱动、激励和输出方程； （4）画出PLA电路图。
3.现场可编程门阵列FPGA中的可配置逻辑块CLB不仅可以完成组合逻辑、时序逻辑电路的功能，而且还可以作为RAM使用。当作为RAM使用时，不仅可以配置成电平触发的16位双口或32位单口RAM，而且还可以配置成边沿触发的16位双口或32位单口RAM。
第二节 典型题解
例7-1 试用SD805 32×8bitPROM构成容量为32×32bit的PROM。 解：此题为扩展存储器的数据位（字长），方法比较简单。在驱动器的负载能力允许之内，将每个存储器地址输入端对应连接，且允许输入端S接在一起既可。采用四片SD805PROM构成32×32bit的PROM，其电路连接图如图7-1所示，因为每片SD805输出8位，其中SD805-（1）输出0～7位（32位中的低8位），SD805-（4）输出24～31位（32位中的高8位）。
输出32位数据
15 .……….23 24 .……… 31 0 .………… 7 8 ..………… 15
Y1 Y2 …….. Y8 Y1 Y2 …….. Y8 Y1 Y2 …….. Y8 Y1 Y2 …….. Y8
S SD805(3) S SD805(4) S SD805(1) S SD805(2)
A0 A1 A2 A3 A4 A0 A1 A2 A3 A4 A0 A1 A2 A3 A4 A0 A1 A2 A3 A4
S A B C D E
地址输入
图7-1数据扩展(扩展成32×32bitPROM)连接图
例7-2 试用SD805 32×8bit PROM构成容量为512×8bit PROM。 解：此题为扩大存储器的地址（字数），一个SD805 容量是32字×8位，可利用允许输入来扩展字数，即每片一个字组，通过外加译码器T1154来分别选中每一片，也就将该字组的32个字选中，这样SD805 本来只有五位地址输入，可选中32个字，现采用16片SD805
246